在光阻释气期间用于改进注入均匀性的方法技术

本发明专利技术提供一种用于改进经历沿着束线的压力增加的离子束的注入均匀性的方法及装置。该方法包括产生以基本上恒定的速度横越工件来移动离子束的主扫描波形。也产生具有固定高度和波形的补偿波形(例如，二次波形)，且将该补偿波形与主扫描波形混合(例如，通过可变混频器)以形成束扫描波形。可通过瞬时真空压力信号来调节混合比率，与连续修改扫描波形相比较，该调节可以以高很多的速度执行且更简单。该混合提供包括非恒定斜率的束扫描波形，该非恒定斜率在离子束横越工件移动时改变离子束的速度。因此，具有非恒定斜率的所获得的束扫描波形能够解决沿着快速扫描方向的剂量中的压力非均匀性问题。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及离子注入系统，且更具体地，涉及一种在光阻释气期间用于改进离子注入系统的注入均匀性的方法和装置。
技术介绍
在制造半导体装置中常使用离子注入对半导体工件(例如，硅晶片)掺杂杂质。例如，离子注入机或离子注入系统可使用离子束处理工件，以产生η型或P型掺杂区或在该工件上形成钝化层。当用于掺杂半导体时，离子注入系统注入选定的离子物种以产生所需的非本征材料。典型地，离子束注入机包括被构造成由可离子化源材料产生带正电离子的离子源。由所产生的离子形成离子束，且沿着射束路径引导该离子束至离子注入站。离子注入机可包括在离子源与注入站之间延伸的束形成及成形结构(例如，束校正磁体)。束形成及成形结构在至离子站途中保持离子束的完整性。由于工件的尺寸通常大于离子束的尺寸，因此通常使用混合扫描离子注入机来使离子束能够在工件的表面上扫描。通常，扫描系统可包括被定位成偏转离子束的一对扫描板(或用于电磁扫描的扫描电磁体)、以及被构造成将与扫描波形相关的电压施加至扫描板(或将电流施加至扫描电磁体以用于电磁扫描)的扫描波形产生器。所述电压在所述板之间产生时变电场或磁场，以在扫描路径上来回偏转或扫描束(例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.04 US 12/717,5361.一种离子注入系统，包括: 第一波发生器，所述第一波发生器被构造成产生具有基本上线性的斜率的主扫描波形； 第二波发生器，所述第二波发生器被构造成产生补偿波形；和 加法器，所述加法器被构造成通过将所述主扫描波形与所述补偿波形相加而提供束扫描波形； 其中，所述补偿波形被选择成具有波形和振幅，所述波形和所述振幅被设置成以解决沿着快速扫描方向的离子束的剂量的非均匀性的方式来修改所述主扫描波形的斜率。2.按权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述束扫描波形包括引起所述离子束在该离子束横越工件移动时逐渐增加或减小所述离子束的速度的斜率。3.按权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述补偿波形包括二次波形。4.按权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述主扫描波形基本上不受所述离子注入系统中的压力改变的影响。5.按权利要求1所述的离子注入系统，还包括调节装置，所述调节装置耦接至所述第二波发生器并被构造成以混合比率来调节所述补偿波形的振幅。6.按权利要求5所述的离子注入系统，其中，所述调节装置包括可变补偿衰减器。7.按权利要求5所述的离子注入系统，其中，所述混合比率基于从位于所述离子束的相对侧的第一边缘法拉第杯和第二边缘法拉第杯所获得的测量结果来确定。8.按权利要求5所述的离子注入系统，其中，所述混合比率基于从沿着束线定位的压力传感器所获得的测量结果来确定。9.按权利要求5所述的离子注入系统，其中，所述调节装置被构造成基于在终端站处所测量的压力来动态地修改所述补偿波形的振幅。10.按权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述补偿波形的波形和振幅能够响应于所述第二波发生器所接收的基本上瞬时的压力测量值来调节。11.一种用于改进离子注入系统的注入均匀性的方法，包括以下步骤: 产生具有分段线性斜率的主扫描波形； 产生补偿波形；和 将所述补偿波形与所述主扫描波形相加，以产生用于引导离子注入束的束扫描波形...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤秀，
申请(专利权)人：艾克塞利斯科技公司，
类型：
国别省市：