【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及钥(Mo) (IV)酰胺前驱物和采用此类前驱物通过原子层沉积(ALD)来制备MoO2膜的方法。
技术介绍
ALD为已知的薄膜沉积方法。其为ー种自限性、连续独特的膜生长技木，此项技术以表面反应为基础并且可提供原子层控制，并且将由前驱物所提供的材料的保形薄膜沉积到不同组成的衬底上。在ALD中，在反应期间分离前驱物。第一前驱物通过衬底并在所述衬底上形成单层。将任何过量的未 反应前驱物泵出反应室。接着第二前驱物通过所述衬底并与第一前驱物反应，从而在所述衬底表面上形成单层膜。重复此循环以得到所需厚度的膜。ALD方法可应用在纳米技术和半导体元件(例如电容器电极、栅电极、粘合剂扩散障壁以及集成电路)的制造中。此外，在微电子学和光电子学的许多子领域内需要具有高介电常数(电容率)的介电薄膜。随着微电子组件的尺寸持续缩小，使得使用此类介电膜的需求日益増加。格林，J.(Green, J.)等人报道了 Mo络合物Mo (C5H5) (NMe2) 3的合成与分离。化学学会会志(J.Chem.Soc.)，道耳顿会刊(Dalton Trans.)，1997，第 3219-3224 页。美国专利第5，064，686号报道了一种用于化学气相沉积(CVD)的Mo (IV)络合物。在CVD中尝试使用Mo[N(Me) (Me)]4。然而，在CVD中注意到热稳定性问题并且已发现虽然此前驱物在结构上类似，但它并不适合用于沉积MoO2层。此外，发现Mo (NtBu) 2 (^e2) 2对通过ALD来形成MoO2膜并不能产生良好效果，原因在于其形成了不适于DRAM的MoO3膜。因此需要发...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.27 US 61/377,6921.一种络合物 Mo[N(Me) (Et)J402.一种通过原子层沉积来形成MoO2膜的方法,所述方法包括将Mo [N(Me) (Et) ]4传送到衬底。3.一种Mo (IV)络合物，其结构对应于式1:4.根据权利要求3所述的络合物，其中 R1和R2独立地为甲基、こ基或丙基； R为甲基、こ基或丙基；并且 n为0、1或2。5.根据权利要求3所述的络合物，其中 R1和R2相同； R为甲基；并且 n为0、1或2。6.根据权利要求3所述的络合物，其中 R1为甲基并且R2为こ基； R为甲基；并且 n为0、1或2。7.根据权利要求3所述的络合物，其中所述结构对应于式I的络合物选自由以下所组成的群组: (甲基环戍条件ニ稀基)Mo (NMe2) 3 ; (こ基环戊ニ烯基)Mo (NMe2) 3 ； (丙基环戍ニ稀基)Mo (NMe2) 3 ； (甲基环戊ニ烯基)Mo (NEt2)3; (こ基环戊ニ烯基)Mo (NEt2) 3 ； (丙基环戊ニ烯基)Mo (NEt2)3 ； (环戍ニ烯基)Mo OMeEt) 3 ； (甲基环戊ニ烯基)Mo(WeEt)3 ； (こ基环戊ニ烯基)Mo (WeEt) 3 ；以及(丙基环戍_■稀基)Mo (NMeEt) 3。8.根据权利要求3所述的络合物，其中所述结构对应于式I的络合物选自由以下所组成的群组: (甲基环戍~■稀基)Mo (NMe2) 3 ; (甲基环戊ニ烯基)Mo (匪eEt)3 ;以及 (环戍ニ烯基)Mo (匪eEt) 3。9.一种通过原子层沉积来形成MoO2膜的方法，所述方法包括将至少一种前驱物传送到衬底，其中所述至少一种前驱物的结构对应于式1:10.根据权利要求9所述的方法，其中: R1和R2独立地为甲基、こ基或丙基； R为甲基、こ基或丙基；并且 n为0、1或2。11.根据权利要求9所述的方法，其中 R1和R2相同； R为甲基；并且 n为0、1或2。12.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：彼得·尼古拉·海斯，拉杰什·奥德德拉，萨拉赫·路易斯·欣德利，
申请(专利权)人：辛格玛艾瑞契有限责任公司，
类型：
国别省市：
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