用于制备单晶金刚石的高温高压（HPHT）方法技术

用于合成单晶金刚石的高压高温(HPHT)方法，其中描述了使用具有至少(1)的纵横比和基本上平行于{110}晶面的生长表面的单晶金刚石籽晶。在1280℃-1390℃范围内的温度下进行生长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备单晶金刚石的高温高压(HPHT)方法本专利技术涉及制备金刚石材料的方法。特别地，本专利技术涉及用于制备在切割用途中使用的大的单晶金刚石的HPHT方法。在本领域中通过温度梯度HPHT方法合成金刚石是公知的，并且首次描述在US4, 034，066 中。金刚石合成的常规方法可以制备高达几克拉(最大侧向尺度约8_)的单晶金刚石。尽管在 R.C.Burns 等人的 Diamond and Related Materials, 8 (1999)，1433-1437 中报道了一些特别大的钻石(stone)，但因制备中的增加的复杂性而通常不可用。使可用于成品的每种晶体的总体积分数最大化成为在金刚石合成中的重要难题。对于从合成宝石级钻石到同质外延生长用衬底的一系列产品，存在制备金刚石材料的动力，其中生长的金刚石的最终形状使得可用最少的努力将其加工达到用于目标应用中的优选晶面。此外，对于很多这些产品而言，存在如下尺寸要求:使得对于高于特定尺寸阈值的晶体，有利于实现这样的形状。此外，在一些应用中，使成品中的金刚石材料具有均匀光学性质是重要的。已公知，金刚石的光学性质(例如光学吸收)可受其氮含量的强烈本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.01.16 GB 0900771.71.成单晶金刚石的方法，包括: (a)选择具有生长表面的单晶金刚石籽晶，该生长表面具有两个正交尺度a*和b%其中a*是在生长表面的平面内基本沿着〈100〉或〈110〉方向的生长表面的最长尺度，且b*是在与位于生长表面平面内的a*正交的方向上的生长表面的最长尺度，其中由a7b*定义的生长表面的纵横比为至少I并且生长表面基本平行于{110}晶面； (b)将籽晶安装在衬底表面之上或之内，使得籽晶的生长表面得到暴露，且籽晶的生长表面基本平行于衬底表面；和 (c)在高压高温环境下，于1280°C-1390°C范围内的温度下在使得在籽晶的至少生长表面上产生单晶金刚石的条件下进行晶体生长； 其中，合成的单晶金刚石具有沿着〈100〉或〈110〉方向的最长尺度&#，该最大尺度&#超过至少2mm。2.根据权利要求1的方法，其中单晶金刚石籽晶的生长表面的边缘位于〈100〉或<110>方向或者〈100〉和〈110〉方向的混合的约2...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·A·斯皮茨，C·N·道奇，
申请(专利权)人：六号元素有限公司，
类型：
国别省市：