平板探测器及其制作方法、摄像装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种平板探测器及其制作方法以及设置有所述平板探测器的摄像装置，涉及摄像领域，可以在不影响像素开口率的情况下，增加存储电容，提高图像采集能力，从而有助于实现平板探测器的高分辨率。本发明专利技术所述平板探测器，包括：用于将X射线转换为电荷的转化层和设置在所述转化层之下的像素检测元件；像素检测元件包括：用于接收所述电荷的像素电极，存储接收电荷的存储电容，以及控制存储电荷输出的薄膜晶体管；存储电容包括：第一电极，包括：相对设置的上电极和下电极，且上电极与下电极电性连接；第二电极，夹设在所述上电极和下电极之间；上电极与第二电极之间，第二电极与下电极之间均设置有绝缘层或者起绝缘作用的间隔层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及摄像领域，尤其涉及一种平板探测器及其制作方法，以及设置有所述平板探测器的摄像装置。
技术介绍
目前，数字化X线摄影(DigitalRadiography, DR)技术被广泛应用于医疗仪器，如拍摄X射线胸片的X射线机。DR装置的关键部件是获取图像的平板探测器，其性能优劣会对DR图像质量产生比较大的影响。平板探测器可以分为两种:非晶硒平板探测器和非晶硅平板探测器，其中，如图1所示，非晶硒平板探测器主要由非晶硒层(图1未示出)、像素电极3、存储电容2和薄膜晶体管(开关TFT) I构成。入射的X射线使非晶硒层产生电子空穴对，在外加偏压电场作用下，电子和空穴对向相反的方向移动形成电流，电流经像素电极3，在存储电容2中形成储存电荷，在薄膜晶体管I打开时输出到读出电路。经每一 TFT输出的储存电荷量对应于入射X射线的剂量，通过读出电路可以知道每一像素点的电荷量，进而知道每一像素点的X线剂量。专利技术人发现:在设计上述存储电容时，一方面，存储电容越大，存储电荷的能力越强，图像采集能力越强；但是另一方面，存储电容增大，意味着存储电容的电极面积增大，在像素大小不变的情况下，存储电容的电极与其他数据线之间的寄生电容就会增大，而寄生电容会影响数据线的输出信号，导致信噪比比较差，如果为降低寄生电容增大像素面积，又会影响像素开口率，导致分辨率下降。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种平板探测器及其制作方法，以及设置有所述平板探测器的摄像装置，可以在不影响像素开口率的情况下，增加存储电容，提高图像采集能力，从而有助于实现平板探测器的高分辨率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:—种平板探测器，包括:基板；以及设置在所述基板上，用于将X射线转换为电荷的转化层和设置在所述转化层之下的像素检测元件；所述像素检测元件包括:用于接收所述电荷的像素电极，存储接收电荷的存储电容，以及控制存储电荷输出的薄膜晶体管；所述存储电容包括:第一电极，包括:相对设置的上电极和下电极，且所述上电极与所述下电极电性连接；第二电极，夹设在所述上电极和所述下电极之间；所述上电极与所述第二电极之间，及所述第二电极与所述下电极之间均设置有绝缘层。 优选地，所述上电极与所述下电极具有相同的图形。本专利技术的第一种实施方式中，所述下电极设置在所述基板上，所述下电极通过过孔与所述薄膜晶体管的源极相连。所述平板探测器还包括:覆盖在所述薄膜晶体管上的第一钝化层，所述第二电极设置在所述第一钝化层上。所述平板探测器还包括:覆盖在所述第二电极之上的第二钝化层，所述上电极设置在所述第二钝化层上，并通过所述第一钝化层和所述第二钝化层中的过孔与所述薄膜晶体管的源极相连。本专利技术的第二种实施方式中，所述下电极设置在所述基板上；所述平板探测器还包括:覆盖在所述薄膜晶体管上的第一钝化层，所述第二电极设置在所述第一钝化层上，所述第二电极通过过孔与所述薄膜晶体管的源极相连。所述平板探测器，还包括:覆盖在所述第二电极之上的第二钝化层，所述上电极设置在所述第二钝化层上，并通过过孔与所述下电极相连。可选地，所述平板探测器还包括:感光树脂层，设置在所述上电极之上，所述像素电极设置在所述感光树脂层上，并经所述感光树脂层中的过孔连接至所述薄膜晶体管的源极。可选地，所述薄膜晶体管包括:栅金属层，设置在基板上；栅绝缘层，覆盖在所述栅金属层上；有源层，设置在所述栅绝缘层上；源漏金属层，设置在所述有源层上。本专利技术还提供一种摄像装置，包括所述的任一平板探测器。另一方面，本专利技术还提供一种平板探测器的制作方法，包括:形成第一透明导电膜，并采用构图工艺形成所述下电极；形成薄膜晶体管的栅金属层、栅绝缘层、有源层和源漏金属层；形成第一钝化层，并采用构图工艺在所述薄膜晶体管的源极对应位置设置第一钝化层过孔；形成第二透明导电膜，并采用构图工艺在所述下电极的对应位置形成第二电极；形成第二钝化层，并采用构图工艺在所述薄膜晶体管的源极上方对应于所述第一钝化层过孔的位置，设置第二钝化层过孔；形成第三透明导电膜，并采用构图工艺在所述下电极的对应位置形成上电极，且所述上电极通过所述第一钝化层过孔及所述第二钝化层过孔，与所述薄膜晶体管的源极相连。 可选地，所述上电极与所述下电极具有相同的图形。所述方法，还包括:涂覆感光树脂层，并采用构图工艺在所述第二钝化层过孔的对应位置，设置感光树脂层过孔；形成第四透明导电膜，并采用构图工艺形成像素电极，且所述像素电极通过所述第一钝化层过孔、所述第二钝化层过孔及所述感光树脂层过孔，与所述薄膜晶体管的源极相连。可选地，所述采用构图工艺在所述上电极的对应位置形成第二电极之后，形成第二钝化层之前，还包括:在所述第二电极上形成金属层，并采用构图工艺形成公共电极线。本实施例中的平板探测器，其存储电容的第一电极采用相互连接的上电极和下电极，第二电极则隔着绝缘层(或者起绝缘作用的间隔层)设置在所述上电极、下电极之间，构成两个并联电容。具体而言，上电极与第二电极形成第一电容，下电极与第二电极形成第二电容(相当于现有技术中的存储电容)，且第一电容与第二电容为并联关系，因此，本实施例中的存储电容为第一电容与第二电容之和，而且，上电极遮挡下电极，下电极没有占用额外像素区域，存储电容的电极与其它数据线之间的距离可保持不变，不会影响寄生电容，因而也不需要为降低寄生电容而增大像素面积，当然像素开口率也不会受影响。因此，采用电容并联的方式因此在不影响像素开口率的情况下，增加了存储电容，提高图像采集能力，从而也有助于实现平板探测器的高分辨率。附图说明图1为现有技术中平板探测器的结构示意图；图2为本专利技术实施例一中平板探测器的存储电容的结构示意图；图3为本专利技术实施例二中平板探测器的结构示意图；图4为本专利技术实施例三中平板探测器制作方法的流程图；图5为本专利技术实施例三中形成下电极后的结构示意图；图6为本专利技术实施例三中形成栅金属层后的结构示意图；图7为本专利技术实施例三中形成栅绝缘层和有源层后的结构示意图；图8为本专利技术实施例三中形成源漏金属层后的结构示意图；图9为本专利技术实施例三中形成第一钝化层后的结构示意图；图10为本专利技术实施例三中形成第二电极后的结构示意图；图11为本专利技术实施例三中形成公共电极线后的结构示意图；图12为本专利技术实施例三中形成第二钝化层后的结构示意图；图13为本专利技术实施例三中形成上电极后的结构示意图；图14为本专利技术实施例三中形成感光树脂后的结构示意图；图15为本专利技术实施例四提供的另一平板探测器的结构示意图。附图标记说明1-薄膜晶体管，11-栅金属层，12-栅绝缘层，13-有源层，14-源漏金属层；2-存储电容，21-上电极，22-下电极，23-第二电极；3_像素电极；10-基板，15-第一钝化层，16-第二钝化层，17-过渡层，18-公共电极线，19-连接线，20-感光树脂层，A-过孔，B-过孔。具体实施例方式本专利技术实施例提供一种平板探测器及其制作方法，采用电容并联的方式在不影响像素开口率的情况下，增加了存储电容，提高图像采集能力，从而也有助于实现平板探测器的高分辨率。下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述。此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。需要说明的是，对于液晶显示领域的晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板探测器，包括：基板；以及设置在所述基板上，用于将X射线转换为电荷的转化层和设置在所述转化层之下的像素检测元件；所述像素检测元件包括：用于接收所述电荷的像素电极，存储接收电荷的存储电容，以及控制存储电荷输出的薄膜晶体管；其特征在于，所述存储电容包括：第一电极，包括：相对设置的上电极和下电极，且所述上电极与所述下电极电性连接；第二电极，夹设在所述上电极和所述下电极之间；所述上电极与所述第二电极之间，及所述第二电极与所述下电极之间均设置有绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种平板探测器，包括:基板；以及设置在所述基板上，用于将X射线转换为电荷的转化层和设置在所述转化层之下的像素检测元件；所述像素检测元件包括:用于接收所述电荷的像素电极，存储接收电荷的存储电容，以及控制存储电荷输出的薄膜晶体管；其特征在于，所述存储电容包括: 第一电极，包括:相对设置的上电极和下电极，且所述上电极与所述下电极电性连接； 第二电极，夹设在所述上电极和所述下电极之间； 所述上电极与所述第二电极之间，及所述第二电极与所述下电极之间均设置有绝缘层。2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于， 所述上电极与所述下电极具有相同的图形。3.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述下电极设置在所述基板上，所述下电极通过过孔与所述薄膜晶体管的源极相连。4.根据权利要求3所述的平板探测器，其特征在于，还包括: 覆盖在所述薄膜晶体管上的第一钝化层， 所述第二电极设置在所述第一钝化层上。5.根据权利要求4所述的平板探测器，其特征在于，还包括: 覆盖在所述第二电极之上的第二钝化层， 所述上电极设置在所述第二钝化层上，并通过所述第一钝化层和所述第二钝化层中的过孔与所述薄膜晶体管的源极相连。6.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述下电极设置在所述基板上；所述平板探测器还包括: 覆盖在所述薄膜晶体管上的第一钝化层， 所述第二电极设置在所述第一钝化层上，所述第二电极通过过孔与所述薄膜晶体管的源极相连。7.根据权利要求6所述的平板探测器，其特征在于，还包括: 覆盖在所述第二电极之上的第二钝化层， 所述上电极设置在所述第二钝化层上，并通过过孔与所述下电极相连。8.根据权利要求5或7所述的平板探测器，其特征在于，还包括: 感光树脂层，设置在所述上电极之上， 所述像素...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢振宇，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：