一种降低钽电容器高频等效串联电阻的钽阳极块加工方法技术

本发明专利技术公开了一种降低钽电容器高频等效串联电阻的钽阳极块加工方法，该方法包括将钽阳极块浸入阴极外部半导体层悬浊液加工阴极外部半导体层、将钽阳极块浸入石墨溶液加工阴极过渡层和涂覆石墨和银浆。该方法通过在钽阳极块表面半导体层与导电层间增加一层过渡层的方法，消除层间接触电阻，使钽电解电容器的ESR值降低30%以上，且该方法工艺操作简单、易控制、效率高，适合工业化大批量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种降低钽电容器高频等效串联电阻的钽阳极块加工方法
本专利技术涉及钽电解电容器的制造
，具体涉及一种降低钽电容器高频等效串联电阻的钽阳极块加工方法。
技术介绍
随着电路设计频率的提高，钽电容器的高频等效串联电阻的大小已经成为一个通用的电性能测试指标，根据钽电容器的结构特点，影响高频等效串联电阻的氧化膜层是阳极金属层、介质层、内部电解质层、外部阴极层（包括石墨层和银层）。为此众多的钽电容器制造商对如何降低钽电解电容器的高频等效串联电阻的工艺方法开展了很多研究，如采取减少压制密度、提高阳极钽块孔径、降低硝酸锰溶液浓度增加热分解次数、使用方阻更低的银浆料等来降低内外氧化膜层的等效串联电阻。这些技术的实施，在一定程度上改善了钽电容器的等效串联电阻，但同时增加了生产过程的控制难度以及生产成本。ESR=ESr金+ESr介+ESr阴ESr金由钽金属和阴极金属的电阻决定，是一个固定值；ESr介由介质氧化膜电阻决定，当产品规格一定后也是一个固定值；ESr阴由内部电解质和外部电解质、导电层的电阻组成。决定ESr阴值的外部电解质层的材料是一种半导体材料其电阻率较高且致密，如直接浸涂导电层会使层间的接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低钽电容器高频等效串联电阻的钽阳极块加工方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：（1）阴极外部半导体层的加工：a、取热分解完浓硝酸锰溶液的钽块，浸入阴极外部半导体层悬浊液中3～5分钟，浸入高度与钽阳极块高度一致；b、室温存放30～60分钟后，进入120～150℃烘箱烘干30～60分钟；c、在210～300℃高温饱和水蒸气条件下分解硝酸锰溶液3～8分钟；（2）阴极过渡层的加工：d、将钽阳极块浸入浓度为60～70%硝酸锰溶液中2～4分钟；e、在250～300℃的饱和蒸汽中分解5～10分钟；f、将钽阳极块浸入石墨溶液中3～5秒，深度为钽阳极块的1/4～1/2高度；g、室温存放15～30分钟后，进...

【技术特征摘要】
2013.01.15 CN 201310014797.61.一种降低钽电容器高频等效串联电阻的钽阳极块加工方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：(1)阴极外部半导体层的加工：a、取热分解完浓硝酸锰溶液的钽块，浸入阴极外部半导体层悬浊液中3～5分钟，浸入高度与钽阳极块高度一致；b、室温存放30～60分钟后，进入120～150℃烘箱烘干30～60分钟；c、在210～300℃高温饱和水蒸气条件下分解硝酸锰溶液3～8分钟；(2)阴极过渡层的加工：d、将钽阳极块浸入浓度为60～70％硝酸锰溶液中2～4分钟；e、在250～300℃的饱和蒸汽中分解5～10分钟；f、将钽阳极块浸入石墨溶液中3～5秒，深度为钽阳极块的1/4～1/2高度；g、室温存放15～30分钟后，进入150～200℃烘箱烘干30～60分钟；h...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，蒙勇，黄艳，刘一峰，胡科正，
申请(专利权)人：中国振华集团新云电子元器件有限责任公司，
类型：发明
国别省市：