【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种低等效串联电阻电容器，它涉及电容器
。它包括外壳、芯子单元、电极焊片，所述的外壳内有多个芯子单元并联连接后与外壳上方的两个电极焊片连接，所述电极焊片上开有一个长椭圆形孔，所述电极焊片间的间距等于IGBT的连接孔的孔距。本技术它采用左右电极焊片，几乎无连接电感，内部单元芯子采用多层内串结构，等效串联电阻低，对IGBT的尖峰保护效果好。【专利说明】-种低等效串联电阻电容器
本技术涉及电容器
，尤其涉及一种低等效串联电阻电容器。
技术介绍
电容器是一种常用的电子产品，同时电容器也有很多的分类，有高载流的、滤波 的、防爆的等等，这些不同功能的电容均可满足了一定的要求，电子产品中常用到一种IGBT 高精密半导体元器件，其既具有M0SFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极 型器件饱和压降低而容量大的优点，但是这种元器件常受到尖峰电压的损害，而普通电容 器因为电感高、等效串联电阻使得对该元器件保护效果不佳。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种低等效串联电阻电容器，它采用左右电极焊片，几 乎无连接电感，内部单元芯子采用多层内串结构，等效串联电阻低，对IGBT的尖峰保护效 果好。 为了解决
技术介绍
中所存在的问题，本技术是采用以下技术方案：它包括外 壳、芯子单元、电极焊片，所述的外壳内有多个芯子单元并联连接后与外壳上方的两个电极 焊片连接，所述电极焊片上开有一个长椭圆形孔，所述电极焊片间的间距等于IGBT的连接 孔的孔距。 本技术它采用左右电极焊片，几乎无连接电感，内部单元芯子采用多层内...
【技术保护点】
一种低等效串联电阻电容器，其特征在于，它包括外壳、芯子单元、电极焊片，所述的外壳内有多个芯子单元并联连接后与外壳上方的两个电极焊片连接，所述电极焊片上开有一个长椭圆形孔，所述电极焊片间的间距等于IGBT的连接孔的孔距。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：崔银林，
申请(专利权)人：铜陵市汇特电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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