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本发明公开了一种降低钽电容器高频等效串联电阻的钽阳极块加工方法，该方法包括将钽阳极块浸入阴极外部半导体层悬浊液加工阴极外部半导体层、将钽阳极块浸入石墨溶液加工阴极过渡层和涂覆石墨和银浆。该方法通过在钽阳极块表面半导体层与导电层间增加一层过渡...该专利属于中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司授权不得商用。