【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电子
,具体涉及。
技术介绍
DFB (分布反馈布拉格)激光器是在目前光通信中应用非常普遍的一种芯片,随着通信技术的发展,目前对工业级别(_40°C到85°C)的DFB激光器需求越来越大。采用均匀光栅的DFB激光器,由于其FP模式的增益谱与布拉格波长的增益谱之间的温漂系数相差较大,所以设计光栅时必须进行精确的波长控制,因而这种激光器在全温度(_40°C到85°C )工作时成品率偏低。而采用四分之一波长相移光栅的DFB激光器,其采用了激光器两个端面进行抗反射镀膜,所以在全温度范围内能够稳定地单模工作,因而芯片成品率较高。日益发展的FTTH (光纤到户)对低成本的光通信芯片需求越来越大。高的芯片成品率意味着低的成本,但是传统的四分之一波长相移光栅制作方法是采用电子束光刻,其中电子束光刻设备非常昂贵,而且光栅刻写过程非常耗时,故采用此种方式制作的DFB激光器成本并不占优势。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种低成本的用于DFB激光器的四分之一波长相移光栅的制作方法。本专利技术提供的四分之一波长相移光栅的制作方法,步骤为: (1 ...
【技术保护点】
一种四分之一波长相移光栅的制作方法,其特征在于,步骤为:(1)一次匀胶:在外延片表面进行匀胶,涂敷紫外正性反转光刻胶,烘干,在光刻机上选择专用光刻版进行曝光后显影;?(2)二次匀胶:步骤(1)所得产品进行二次匀胶,涂敷紫外正性光刻胶,烘干,在全息光栅系统中进行曝光,然后在110~130℃条件下烘烤1~5分钟,在光刻机上选择专用光刻版进行曝光后显影;(3)用HBr?、Br2和H2O组成的腐蚀液进行腐蚀,去除光刻胶后得到四分之一波长相移光栅。
【技术特征摘要】
1.一种四分之一波长相移光栅的制作方法,其特征在于,步骤为: (1)一次匀胶:在外延片表面进行匀胶,涂敷紫外正性反转光刻胶,烘干,在光刻机上选择专用光刻版进行曝光后显影; (2)二次匀胶:步骤(I)所得产品进行二次匀胶,涂敷紫外正性光刻胶,烘干,在全息光栅系统中进行曝光,然后在11(T130°C条件下烘烤f 5分钟,在光刻机上选择专用光刻版进行曝光后显影; (3)用HBr、Br2和H2O组成的腐蚀液进行腐蚀,去除光刻胶后得到四分之一波长相移光栅。2.根据权利要求1所述的四分之一波长相移光栅的制作方法,其特征在于,步骤(I)所述紫外正性反转光刻胶厚度为500 1000埃。3.根据权利要求1所述的四分之一波长相移光栅的制作方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:阳红涛,刘应军,胡忞远,熊永华,
申请(专利权)人:武汉电信器件有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。