光栅制造技术
【技术实现步骤摘要】
光栅
本专利技术涉及一种光栅，尤其涉及一种亚波长光栅。
技术介绍
亚波长光栅是半导体工业以及精密仪器中最常用到的光学器件之一。亚波长光栅是指光栅的结构特征尺寸与工作波长相当或更小。制备高密度、亚波长、高占空比的亚波长石英光栅非常困难。需要应用到的刻蚀技术有电子束刻蚀、聚焦离子束刻蚀、深紫外光刻、光全息刻蚀以及纳米压印技术。其中深紫外光刻方法有着衍射极限的问题，此外上述方法都有诸如成本太高，不能工业化生产等问题。石英光栅包括一石英基底，该石英基底的一表面上形成有多个凹槽。可以通过反应离子刻蚀(Reaction-Ion-Etching，RIE)方法实现对石英基底的刻蚀形成所述多个凹槽。现有技术中采用RIE技术刻蚀石英基底的过程中，多采用四氟化碳(CF4)、六氟化硫(SF6)作为刻蚀气体对石英基底进行刻蚀。然而，RIE方法在刻蚀过程中，刻蚀气体SF6容易与石英基底发生反应生成氟硅碳化合物。该种氟硅碳化合物附着在石英基底的表面形成保护层，并阻隔刻蚀气体与石英基底接触，使刻蚀反应难以进行下去。为了克服上述问题，可在刻蚀气体中添加氧气（O2）。O2可与刻蚀过程中生成的氟硅碳化...
【技术保护点】
一种光栅，该光栅包括一基底，该基底的一表面形成有多个凸棱，所述多个凸棱相互平行且间隔设置，相邻的两个凸棱之间形成一凹槽，所述多个凸棱之间形成多个凹槽，其特征在于，所述多个凹槽中的每个凹槽的深宽比大于或等于6：1，凹槽的宽度范围为25纳米至150纳米。
【技术特征摘要】
1.一种光栅的制备方法，其包括一采用反应离子刻蚀法刻蚀基底的步骤，该刻蚀过程中的刻蚀气体为四氟化碳、六氟化硫以及氩气，刻蚀过程中四氟化碳、六氟化硫与基底反应生成氟硅化合物，氟硅化合物在氩气的轰击下分解，该光栅包括一基底，该基底的一表面形成有多个凸棱，所述多个凸棱相互平行且间隔设置，相邻的两个凸棱之间形成一凹槽，所述多个凸棱之间形成多个凹槽，其特征在于，所述多个凸棱的一端相互连接形成一体使所述凹槽形成一半封闭结构，多个凸棱中的每个凸棱均具有两个相对的侧壁，该两个侧壁均垂直于所述基底的表面，所述多个凹槽中的每个凹槽的深宽比大于或等于6∶1，凹槽的宽度为25纳米。2.如权利要求1所述的光栅的制备方法，其特征在于，所述基底的材料为硅、二氧化硅、氮化硅、石英或玻璃。3.如权利要求1所述的光栅的制备方法，其特征在于，所述多个凸棱等间距设置。4.如权利要求1所述的光栅的制备方法，其特征在于，所述多个凹槽中每个凹槽的深度范围150纳米至900纳米。5.如权利要求4所述的光栅的制备方法，其特征在于，所述多个凸棱中每个凸棱的宽度为25nm至150nm。6.如权利要求1所述的光栅的制备方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱振东，李群庆，张立辉，陈墨，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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