银-铋超晶格纳米线阵列及其制备方法和用途技术

本发明专利技术公开了一种银-铋超晶格纳米线阵列及其制备方法和用途。阵列为一面覆有金膜的氧化铝模板的孔中置有银纳米线与铋纳米线交替连接成的一维超晶格纳米线组成的阵列，其中，金膜的厚度为200～400nm，银纳米线的线直径为55～65nm、线长为100～200nm，铋纳米线的线直径为55～65nm、线长为65nm～2μm；方法为先使用二次阳极氧化法得到孔直径为55～65nm的通孔氧化铝模板，再于通孔氧化铝模板的一面镀金膜，接着，先将一面镀有金膜的氧化铝模板置于银电解液中，于直流电压为0.4～0.6V下电沉积25～35s，再将其置于铋电解液中，于直流电压为0.9～1.3V下电沉积45～600s，制得银-铋超晶格纳米线阵列。它可用于测试铋纳米线的长径比与其熔化特性之间的关系。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米线阵列及制备方法和用途，尤其是一种银-铋超晶格纳米线阵列及其制备方法和用途。
技术介绍
1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念，即人为地使制备的材料的结构呈周期性地变化，当调制的周期比材料的晶格常数大几倍或更长时，就称为超晶格。将超晶格的定义引申到一维纳米材料的结构中就出现了一维超晶格纳米线，它通常是指两种材料周期性交替排列形成的一维周期性纳米结构。对于纳米材料的熔化来说，目前，人们已在理论上研究了纳米颗粒和纳米线依赖于尺寸的熔化特性，而在实验上对于金属纳米材料熔化方面的研究也多以纳米颗粒为对象，其缘由主要是难以得到尺寸精确可控并且可以用于熔化测试的金属纳米样品。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题为克服现有技术中的不足之处，提供一种可用于熔化测试的银-铋超晶格纳米线阵列。本专利技术要解决的另一个技术问题为提供一种上述银-铋超晶格纳米线阵列的制备方法。本专利技术要解决的还有一个技术问题为提供一种上述银-铋超晶格纳米线阵列的用途。 为解决本专利技术的技术问题，所采用的技术方案为:银-铋超晶格纳米线阵列包括氧化铝模板，特别是，所述氧化铝模板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种银?铋超晶格纳米线阵列，包括氧化铝模板，其特征在于：所述氧化铝模板的一面覆有金膜，所述一面覆有金膜的氧化铝模板的孔中置有银纳米线与铋纳米线连接成的一维超晶格纳米线组成的阵列；所述金膜的厚度为200～400nm；所述连接成一维超晶格纳米线的银纳米线的线直径为55～65nm、线长为100～200nm，铋纳米线的线直径为55～65nm、线长为65nm～2μm。

【技术特征摘要】
1.一种银-铋超晶格纳米线阵列，包括氧化铝模板，其特征在于: 所述氧化铝模板的一面覆有金膜，所述一面覆有金膜的氧化铝模板的孔中置有银纳米线与铋纳米线连接成的一维超晶格纳米线组成的阵列； 所述金膜的厚度为200 400nm ； 所述连接成一维超晶格纳米线的银纳米线的线直径为55 65nm、线长为100 200nm,秘纳米线的线直径为55 65nm、线长为65nm 2 y m。2.根据权利要求1所述的银-铋超晶格纳米线阵列，其特征是连接成一维超晶格纳米线的银纳米线与铋纳米线为交替连接。3.一种权利要求1所述银-铋超 晶格纳米线阵列的制备方法，包括二次阳极氧化法，其特征在于完成步骤如下: 步骤1，先使用二次阳极氧化法得到孔直径为55 65nm的通孔氧化铝模板，再于通孔氧化铝模板的一面镀金膜； 步骤2，先将一面镀有金膜的氧化铝模板置于银电解液中，于直流电压为0.4 0.6V下电沉积25 35s,再将其置于秘电解液中，于直流电压为0.9 1.3V下电沉积45 600s,制得银-铋超晶格纳米线阵列。4.根据权利要求3所述的银-铋超晶格纳米线阵列的制备方法，其特征是通孔氧化铝模板的制作为，先将铝片置于温度为0 3V浓度为0.2 0.4mol/L的草酸溶液中，于38 42V的直流电压下阳极氧化至少6h，再将其置于58 62°C下的磷铬酸混合溶液中浸泡至少9h，接着，将其再次于同样的工艺条件下进行第二次阳极氧化至少18h后，先用氯...

【专利技术属性】
技术研发人员：游巧，费广涛，许少辉，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：