一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法技术

技术编号:8677730 阅读:752 留言:0更新日期:2013-05-08 21:53
本发明专利技术涉及一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法。其特征在于由下列组成物组成:所述的预清洗液是由双氧水、氢氧化钠或氢氧化钾和水组成。其特征在于由下列组成物组成:双氧水,氢氧化钠或氢氧化钾,水。一种利用权利要求1所述一种单晶硅片预清洗液的清洗方法,其特征在于:将插入花篮中的硅片放入到混合均匀的单晶硅片预清洗液中,温度在55~80℃,用超声波清洗60~600秒,超声波清洗后,在60℃的条件下用去离子水漂洗1分钟后,去离子水漂洗后取出硅片烘干。本发明专利技术的优点是使用双氧水工艺后,碱浓度降低,产生氢气量少,不会在硅片表面生产气泡印,并且不会漂篮,不会产生明显的界限。由于降低了碱的浓度,减薄量也有效的降低,有利于降低后道工序电池片的碎片率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
太阳能电池是利用太阳光和材料相互作用直接产生电能,不需要消耗燃料和水等物质,使用中不释放包括二氧化碳在内的任何气体,是对环境无污染的可再生能源。对改善生态环境、缓解温室气体的有害作用具有重大意义。因此太阳能电池有望成为21世纪的重要新能源。电池片制造工艺主要为预清洗一制绒一扩散一刻蚀一去磷硅玻璃一镀减反射膜—印刷一烧结一测试。太阳能硅片经过线切割机的切割加工后,其表面已受到严重沾污,要达到太阳能发电的工业应用标准,就必须经过严格的清洗工序。由于切割带来的严重污染,其表面的清洗工序也必然需要比较复杂和精细的工艺流程。预清洗的目的就是去除硅片表面的机械损伤层,清除表面油污和金属杂质。在切片过程中会在硅片表面产生损伤层,损伤层去除不足,会导致残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除,这些都会增加硅片的表面复合速率,严重影响电池片的效率。目前一般采用去损伤工艺进行清洗,由于初抛过程采用的常规工艺是低浓度碱(1%左右),反应过程较为剧烈,反应过程中产生氢气泡,由于气泡无法及时脱离硅片表面,导致整篮硅片漂起,而使得部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅片预清洗液,其特征在于由下列组成物组成:所述的预清洗液是由双氧水、氢氧化钠或氢氧化钾和水组成。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片预清洗液,其特征在于由下列组成物组成:所述的预清洗液是由双氧水、氢氧化钠或氢氧化钾和水组成。2.按权利要求1所述的一种单晶硅片预清洗液,其特征在于由下列组成物组成:双氧水3% 7%,氢氧化钠或氢氧化钾0.1% 1%,水92% 96.9%。3...

【专利技术属性】
技术研发人员:高华戴丽丽周光华李杏兵田怡
申请(专利权)人:上海超日太阳能科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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