基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法技术

本发明专利技术涉及基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：以N型硅片作为电池片的衬底，进行以下步骤，对硅片衬底清洗制绒；以三氯氧磷为扩散源对硅片衬底扩散，使形成N+/N前表面场；对硅片衬底进行二次清洗；在硅片衬底采用湿法的方式形成SiO2/a-SiNx叠层结构；在硅片衬底正面沉积a-SiOx/a-SiNx层；丝网印刷背面电极；经烧结，形成硅电池板。本发明专利技术的优点：加工工艺简单快速，成本低廉，易于兼容现有工艺的电池技术，并具有极佳的钝化效果，大大提升光电转换率，提高电池使用性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
基于宽禁带a?SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：以N型硅片作为电池板的衬底，进行以下步骤，（1）????对硅片衬底清洗制绒；（2）????以三氯氧磷为扩散源对硅片衬底扩散，使形成N+/N前表面场；（3）????对硅片衬底进行二次清洗；（4）????在硅片衬底采用湿法的方式形成SiO2/a?SiNx叠层结构；（5）????在硅片衬底正面沉积a?SiOx/a?SiNx层；（6）????丝网印刷背面电极；（7）????经烧结，形成电池片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高华，汪建强，王博，谢卿，徐蛟，
申请(专利权)人：上海超日太阳能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：