【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种亚波长。
技术介绍
亚波长光栅是半导体工业以及精密仪器中最常用到的光学器件之一。亚波长光栅是指光栅的结构特征尺寸与工作波长相当或更小。制备高密度、亚波长、高占空比的亚波长石英光栅非常困难。需要应用到的刻蚀技术有电子束刻蚀、聚焦离子束刻蚀、深紫外光刻、光全息刻蚀以及纳米压印技术。其中深紫外光刻方法有着衍射极限的问题，此外上述方法都有诸如成本太高，不能工业化生产等问题。石英光栅包括一石英基底，该石英基底的一表面上形成有多个凹槽。可以通过反应离子刻蚀(Reaction-1on-Etching, RIE)方法实现对石英基底的刻蚀形成所述多个凹槽。现有技术中采用RIE技术刻蚀石英基底的过程中，多采用四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)六氟化硫(SF6)作为刻蚀气体对石英基底进行刻蚀。然而，RIE方法在刻蚀过程中，刻蚀气体SF6容易与石英基 底发生反应生成氟硅碳化合物。该种氟硅碳化合物附着在石英基底的表面形成保护层，并阻隔刻蚀气体与石英基底接触，使刻蚀反应难以进行下去。为了克服上述问题，可在刻蚀气体中添加氧气(02)。O2可与刻蚀过程中生...
【技术保护点】
一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在基底表面形成一图形化的掩模层；将该形成有掩模层的基底放入一反应性等离子体系统中，通入刻蚀气体对基底进行刻蚀，刻蚀过程分为三个阶段：第一刻蚀阶段，刻蚀气体的成分为四氟化碳和氩气，四氟化碳和氩气同时通入，四氟化碳和氩气的总体积流量为40sccm至120sccm，四氟化碳的体积流量的范围为10sccm至100sccm，氩气的体积流量的范围为1sccm至30sccm；第二刻蚀阶段，刻蚀气体的成分改变为四氟化碳、六氟化硫以及氩气，且四氟化碳、六氟化硫以及氩气同时通入，其中，刻蚀气体的等离子体的总体积流量的范围为40sccm至120sc...
【技术特征摘要】
1.一种光栅的制备方法，其包括以下步骤: 提供一基底，在基底表面形成一图形化的掩模层； 将该形成有掩模层的基底放入一反应性等离子体系统中，通入刻蚀气体对基底进行刻蚀，刻蚀过程分为三个阶段: 第一刻蚀阶段，刻蚀气体的成分为四氟化碳和氩气，四氟化碳和氩气同时通入，四氟化碳和IS气的总体积流量为40sccm至120sccm,四氟化碳的体积流量的范围为IOsccm至IOOsccm,気气的体积流量的范围为Isccm至30sccm ； 第二刻蚀阶段，刻蚀气体的成分改变为四氟化碳、六氟化硫以及氩气，且四氟化碳、六氟化硫以及氩气同时通入，其中，刻蚀气体的等离子体的总体积流量的范围为40SCCH1至120sccm，其中，六氟化硫的体积流量大于四氟化碳的体积流量； 第三刻蚀阶段，继续同时通入四氟化碳、六氟化硫以及氩气，其中四氟化碳的体积流量大于六氟化硫的体积流量，四氟化碳的体积流量的范围为20sccm至80sccm，六氟化硫的体积流量的范围为5sccm至50sccm,lS气的体积流量为5sccm至40sccm ； 以及去除掩模层，得到一光栅。2.按权利要求1所述的光栅的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀阶段中，四氟化碳的体积流量为40SCCm，氩气的体积流量为lOsccm。3.按权利要求1所述的光栅的制备方法，其特征在于，所述第二刻蚀阶段中，述四氟化碳的体积流量为Isccm至50sccm,六氟化硫的体积流量为IOsccm至70sccm,気气的体积流量为 IOsccm 至 20sccm。4.按权利要求3所述的光栅的制备方法，其特征在于，所述第二刻蚀阶段中，所述四氟化碳的流率为20SCCm，六氟化硫的体积流量为48SCCm，氩气的体积流量为lOsccm。5.按权利要求1所述的光栅的制备方法，其特征在于，所述第三刻蚀阶段中，六氟化硫的体积流量为20SCCm，四氟化碳的体积流量为40SCCm，氩气的体积流量为20sCCm。6.按权利要求1所述的光栅的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀阶段中，刻蚀气体的等离子体形成的总压强的范围为I帕至5帕，所述第二刻蚀阶段，刻蚀气体的等离子体的总压强为I帕至5帕，所述第三刻蚀阶段中，刻蚀气体的等离子体的总压强的范围为I帕到10帕。7.按权利要求1所述的光栅的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀阶段中，反应性等离子体系统的刻蚀功率的范围为40瓦至150瓦，所述第二刻蚀阶段中，反应性等离子体系统的刻蚀功率的范围为40瓦至150...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱振东，李群庆，张立辉，陈墨，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。