使用可调抛光制剂的抛光方法技术

提供了一种使用化学机械抛光组合物浓缩物的多种稀释液以抛光基材，对包含过载地沉积在氮化硅上的多晶硅的基材进行化学机械抛光的方法，其中，用于抛光基材的所述浓缩物的第一稀释液被调节得具有第一多晶硅去除速率和第一多晶硅对氮化硅的去除速率选择性；以及，用于抛光基材的所述浓缩物的第二稀释液被调节得具有第二多晶硅去除速率和第二多晶硅对氮化硅的去除速率选择性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械抛光领域。具体而言，本专利技术涉及使用化学机械抛光组合物浓缩物的多种稀释液以抛光基材，对包含过载地沉积在氮化硅上的多晶硅的基材进行化学机械抛光的方法，其中，用于抛光基材的所述浓缩物的第一稀释液被调节得具有第一多晶硅去除速率和第一多晶硅对氮化硅的去除速率选择性；以及，用于抛光基材的所述浓缩物的第二稀释液被调节得具有第二多晶硅去除速率和第二多晶硅对氮化硅的去除速率选择性。
技术介绍
在集成电路和其它电子器件的制造中，在半导体晶片的表面上沉积多层的导体材料、半导体材料和介电材料，或者将这些材料层从半导体晶片的表面除去。可以使用许多沉积技术沉积导体材料、半导体材料和介电材料的薄层。现代晶片加工中常用的沉积技术包括物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和电化学镀覆(ECP)等。当材料层被依次沉积和除去时，晶片的最上层表面变得不平。因为随后的半导体加工(例如镀覆金属)需要晶片具有平坦的表面，所以所述晶片需要被平面化。平面化可用来除去不合乎希望的表面形貌和表面缺陷，例如粗糙表面，团聚材料，晶格破坏，划痕和污染的层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来对基材进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供基材，所述基材包含在氮化硅上过载地沉积的多晶硅；提供化学机械抛光组合物浓缩物，所述化学机械抛光组合物浓缩物主要由以下组分组成：水；0.1?25重量％的平均粒径≤100纳米的胶态二氧化硅磨粒；0.01?1重量％的式（I）所示的双季铵阳离子：其中，R1是C2?C6烷基，并且R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地选自C2?C6烷基；提供第一稀释剂；提供第二稀释剂；向所述化学机械抛光组合物浓缩物的第一部分中加入所述第一稀释剂以形成第一抛光制剂，所述第一抛光制剂的pH值为>4至11，所述第一抛光制剂被调节得具有以下性质：且第一多晶硅对氮化硅的去...

【技术特征摘要】
2011.10.27 US 13/283,0131.一种用来对基材进行化学机械抛光的方法，该方法包括: 提供基材，所述基材包含在氮化硅上过载地沉积的多晶硅； 提供化学机械抛光组合物浓缩物，所述化学机械抛光组合物浓缩物主要由以下组分组成: 水； 0.1-25重量％的平均粒径< 100纳米的胶态二氧化硅磨粒； 0.01-1重量％的式(I)所示的双季铵阳离子:2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一稀释剂和第二稀释剂是去离子水。3.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一稀释剂是去离子水和pH调节剂的组合。4.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光组合物不含腐蚀抑制剂和氧化剂。5.按权利要求1所述的方法，其特征在于，R1是C4烷基，并且R2、R3、R4、R5、R6和R7各自...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭毅，KA·K·雷迪，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：