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提供了一种使用化学机械抛光组合物浓缩物的多种稀释液以抛光基材,对包含过载地沉积在氮化硅上的多晶硅的基材进行化学机械抛光的方法,其中,用于抛光基材的所述浓缩物的第一稀释液被调节得具有第一多晶硅去除速率和第一多晶硅对氮化硅的去除速率选择性;以及...该专利属于罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司授权不得商用。
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提供了一种使用化学机械抛光组合物浓缩物的多种稀释液以抛光基材,对包含过载地沉积在氮化硅上的多晶硅的基材进行化学机械抛光的方法,其中,用于抛光基材的所述浓缩物的第一稀释液被调节得具有第一多晶硅去除速率和第一多晶硅对氮化硅的去除速率选择性;以及...