一种薄型LED芯片封装制造技术

本实用新型专利技术公开了一种薄型LED芯片封装，属于LED技术领域，所述的薄型LED芯片封装，为支架3528的封装，其为超薄型0.8mm的方形碗杯，包括双芯片及垂直导热基底设计，以此提高LED在工作过程中出光效率及散热效果。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种薄型LED芯片封装，属于LED

技术介绍
1962年，GE、Monsanto、IBM的联合实验室开发出了发红光的磷砷化镓(GaAsP)半导体化合物，从此可见光发光二极管步入商业化发展进程。1965年，全球第一款商用化发光二极管诞生，它是用锗材料做成的可发出红外光的LED，当时的单价约为45美元。其后不久，Monsanto和惠普公司推出了用GaAsP材料制作的商用化红色LED。这种LED的效率为每瓦大约0.1流明，比一般的60至100瓦白炽灯的每瓦15流明要低上100多倍。1968年，LED的研发取得了突破性进展，利用氮掺杂工艺使GaAsP器件的效率达到了 I流明/瓦，并且能够发出红光、橙光和黄色光。1971，业界又推出了具有相同效率的GaP绿色芯片LED。到20世纪70年代，由于LED器件在家庭与办公设备中的大量应用，LED的价格直线下跌。事实上，LED在那个时代主打市场是数字与文字显示技术应用领域。1990年，业界又开发出了能够提供相当于最好的红色器件性能的AlInGaP技术，这比当时标准的GaAsP器件性能要高出10倍。今天，效率最高的LED是用透明衬底AlInGaP材料做的。在1991年至2001年期间，材料技术、芯片尺寸和外形方面的进一步发展使商用化LED的光通量提高了将近30倍。1994年，日本科学家中村修二在GaN基片上研制出了第一只蓝色发光二极管，由此引发了对GaN基LED研究和开发的热潮。1996年由日本Nichia公司(日亚)成功开发出白色LED。20世纪90年代后期，研制出通过蓝光激发YAG荧光粉产生白光的LED，但色泽不均匀，使用寿命短，价格高。随着技术的不断进步，近年来白光LED的发展相当迅速，白光LED的发光效率已经达到381m/W，实验室研究成果可以达到701m/W，大大超过白炽灯，向荧光灯逼近。近几年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，LED制造工艺的不断进步和新材料(氮化物晶体和荧光粉)的开发和应用，各种颜色的超高亮度LED取得了突破性进展，其发光效率提高了近1000倍，色度方面已实现了可见光波段的所有颜色，其中最重要的是超高亮度白光LED的出现，使LED应用领域跨越至高效率照明光源市场成为可能。曾经有人指出，高亮度LED将是人类继爱迪生专利技术白炽灯泡后，最伟大的专利技术之一。然而任何伟大的专利技术都有其缺陷和不足，当然LED也不例外，如LED芯片的散热问题，就是大家一直在探索的，LED芯片的耐温能力比较弱，长期在温度较高的环境下工作，会加快光衰，所以LED芯片的散热问题是我们目前亟待解决的。
技术实现思路
本技术的目的，公开了一种薄型LED芯片封装，如图1所示，薄型LED芯片封装俯视示意图，其由芯片和支架构成，所述的支架为3528型支架，芯片为2020芯片，支架的高度由传统的1.8mm改成为0.8_，增加了出光效率。支架的基底为金属基底，通过把传统的塑料基底更换成金属基底，增加了芯片在工作过程中的散热。本技术中所述的金属基底选自铜基底,其厚度由原来的0.1mm改为0.2mm,以此提闻散热效果。本技术中把支架中的铜基底由两部分组成，两部分之间不导通，分别为正极和负极，正极和负极之间间隔在与基板接触部分为0.5±0.05mm，在芯片侧面为0.2mm,间隔材料与支架侧壁一样为不导电的绝缘材料，防止正负极出现短路。支架中的铜基底与电源基板接触部分的负极的宽度为2.0mm，正极的宽度为1.0mm,如图2所示。本技术通过把两颗芯片取代单颗芯片固定于一个支架内，以此提高芯片的散热效果。芯片直接固定于负极，并且芯片与芯片之间及芯片与绝缘材料之间的距离相等，以使芯片之间及支架对芯片的出光干扰因素降至最低。本技术的专利技术人通过实验发现芯片通过胶固定于基底上后，在基底上涂布有一层透明的硅胶，硅胶厚度与芯片上表面最高点持平，而后在上面再点有荧光胶，相对直接在上面点荧光胶，光效更佳，不会出现光晕或光分布不均现象。附图说明本技术中附图仅为了对本专利技术进一步解释，不得作为本技术专利技术范围的限制。图1薄型LED芯片封装俯视示意图图2薄型LED芯片封装仰视示意图I为正负极之间的绝缘材料；2为支架碗杯侧壁；3为负极金属基底；4为芯片；5为正极金属基底具体实施方式本技术的实施例仅为对本专利技术进行解释，便于本领域普通技术人员能根据本
技术实现思路
实施本专利技术，不得作为本技术专利技术范围的限制。对传统3528型支架进行改进,把支架的高度由传统的1.8mm改成为0.8mm,通过降低支架的高度，提高LED芯片的出光率，支架的基底改为金属基底，通过把传统的塑料基底更换成金属基底，并且提高金属基底的厚度，由原0.1mm改成0.2mm,从而提高了散热效果，导电金属由两部分组成，两部分之间不导通，分别为正极和负极，正极和负极之间间隔在与电源基板接触部分为0.5±0.05mm，在芯片侧面为0.2mm,间隔材料与支架侧壁一样为不导电的绝缘材料，防止正负极出现短路。另外在芯片侧的距离小于电源基板接触部分的正负极之间的距离，目的是为了缩小引线的长度，防止引线过长而出现断裂等导致良率降低的现象。两颗芯片取代单颗芯片固定于一个支架内，并且芯片之间距离平均分布，如图1所/In 与以此提闻芯片的散热效 果。芯片固定于基底上后，进行引线，而后在基底上涂布一层透明硅胶，硅胶厚度与芯片最高点持平，而后在上面再点有荧光胶，相对直接在上面点荧光胶，光效更佳，不会出现光晕或光分布不均现象。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄型LED芯片封装，包括3528支架与2020芯片，其特征在于，所述的3528支架其高度为0.8mm,基底为金属基底。

【技术特征摘要】
1.一种薄型LED芯片封装，包括3528支架与2020芯片，其特征在于，所述的3528支架其高度为0.8mm，基底为金属基底。2.如权利要求1所述的封装，其特征在于金属基底选自铜基底，其厚度为0.2mm。3.如权利要求2所述的封装，其特征在于铜基底由两部分组成，两部分之间不导通，分别为正极和负极，正极和负极之间间隔在与电源基板接触部分为0.5±0.05mm，在芯片面为0.2mm,间隔材料为不导电的绝缘材料。4.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张研，孙明，庄文荣，
申请(专利权)人：江苏汉莱科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：