【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种高压大功率手机充电控制芯片。
技术介绍
手机上的大功率半导体充电芯片主要用于手机充电电路的电流控制,目前,国内的手机充电芯片的耐压一般在7V左右,安全性差,容易过压被烧毁,此外,国内手机芯片的充电效率不高,一般在70%左右,浪费大量能源。
技术实现思路
为解决现有技术存在的问题,本技术提供一种能提高芯片耐压能力、增大芯片功率的高压大功率手机充电控制芯片。本技术所述高压大功率手机充电控制芯片,其包括基区,所述基区进行扩散形成集电区和发射区,所述集电区为长方形,所述发射区环绕所述集电区的任意三边。优选地,所述发射区环绕所述集电区的一条长边和两条短边。优选地,所述发射区环绕所述集电区的一条短边和两条长边。本技术所述高压大功率手机充电控制芯片,其有益效果是:发射区环绕集电区的任意三边,从而增加了有源区的接触面积,提高了电流的通道能力,基区、集电区和发射区的扩散深度范围为10微米至15微米,在不改变芯片面积的前提下,增加了有源区的接触面积,从而提高了电流的通道能力;在电压增加的情况下,依靠增加有源区的面积而增大电流,不但提高了芯片的耐压,也增大了芯片的功率。附图说明此附图说明所提供的图片用来辅助对技术的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本技术的不当限定,在附图中:附图1为本技术高压大功率手机充电控制芯片结构示意图。具体实施方式下面将以具体实施例来详细说明本技术,在此本技术的示意性实施例以及说明用来解释本技术,但并不作为对本技术的限定。实施例1:如附图1所示,本技术所述高压大功率手机充电控制芯片,其包括基区,基区进行扩散形成集电区和发射区,集电区为长方 ...
【技术保护点】
一种高压大功率手机充电控制芯片,其特征在于:包括基区,所述基区进行扩散形成集电区和发射区,所述集电区为长方形,所述发射区环绕所述集电区的任意三边。
【技术特征摘要】
1.一种高压大功率手机充电控制芯片,其特征在于: 包括基区,所述基区进行扩散形成集电区和发射区,所述集电区为长方形,所述发射区环绕所述集电区的任意三边。2.如权利要求1所述高压大功率手...
【专利技术属性】
技术研发人员:余梅,潘逸清,
申请(专利权)人:南京泊月科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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