用于生产光伏电池的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制造光伏电池的方法，包括下列步骤：提供半导体基板，所述半导体基板在其顶面上包含绝缘层；通过离子注入将选自由硅、锗和它们的混合物组成的组中的半导体离子注入在所述绝缘层中以获得经注入的绝缘层，离子注入注量高于1.1017at./cm2，在注入后所述绝缘层中的最大半导体浓度高于所述绝缘层中的半导体的溶解度；对经注入的绝缘层进行热处理以引起所述半导体到量子点中的析出；沉积至少两个导电触点以在使用时收集产生的电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于生产光伏电池(光电池，photovoltaic cells)的方法。
技术介绍
在20世纪70年代，对硅材料进行研究以用于以术语第一代光伏电池而通常已知的所谓的常规光伏应用，在第一代光伏电池中，模块基于包含单晶硅和多晶硅的晶体硅。近来，由于在不排出二氧化碳的条件下需要能量，所以硅已经卷土重来，在现代光伏应用中起到关键的作用，所述现代光伏应用在硅量子点(S1-QD)中开拓有利的量子限制效应。当单个高能量入射光子与光伏电池表面相互作用时，产生电子-空穴对并以热的形式损失剩余的能量。目前的想法是利用这种能量(通过热效应损失的能量)以产生第二或更多个电子发射。基于多激子产生(MEG)的这种技术已知为第三代光伏电池中的一种。在用于光伏应用的S1-QD合成中的最近开发中，我们通过磁控等离子体沉积来区分量子点(QD)的精制(elaboration)。Nozick 等人已经特别地使用 PbS、PbSe、PbTe、CdS、CdSe 和 InAs 材料进行了其他类似工作。其他研究者已经选择通过气-液-固工艺(VLS)或通过热丝化学气相沉积(HWCVD)利用硅纳米线对光伏电池进行研究。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.03 EP 10175311.9;2010.09.07 US 61/380,5921.用于生产光伏电池的方法，包括以下步骤: -提供半导体基板，所述半导体基板在其顶面上包括绝缘层； -通过离子注入将选自由硅、锗和它们的混合物组成的组中的半导体离子注入在所述绝缘层中以获得经注入的绝缘层，离子注入注量高于1.1017at./cm2，在注入后所述绝缘层中的最大半导体浓度高于所述绝缘层中的半导体的溶解度； -对经注入的绝缘层进行热处理以引起所述半导体到量子点中的析出； -沉积至少两个导电触点以在使用时收集产生的电流。2.根据权利要求1所述的方法，其中在高于900°C的温度下进行热处理。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中利用具有15至IOOkeV之间，优选20至80keV之间的平均能量的离子进行注入。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中半导体离子能量分布是单能量分布(高斯分布)。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述离子注入的半导体离子注量高于...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆拉德·耶德基，居伊·泰尔瓦涅，
申请(专利权)人：和平圣母大学，
类型：
国别省市：