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本发明涉及一种用于制造光伏电池的方法，包括下列步骤：提供半导体基板，所述半导体基板在其顶面上包含绝缘层；通过离子注入将选自由硅、锗和它们的混合物组成的组中的半导体离子注入在所述绝缘层中以获得经注入的绝缘层，离子注入注量高于1.1017at....
该专利属于和平圣母大学所有，仅供学习研究参考，未经过和平圣母大学授权不得商用。

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