【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米自旋场效应管领域，尤其是对弹道输运、散射输运时器件的性能的对比。
技术介绍
电子除了携带电荷之外，还有另一个重要内禀属性:自旋。但长期以来，仅仅利用了电子的电荷这一禀性，自旋这个重要属性却常常被忽略。自旋这一新的自由度的加入，丰富了研究内容，为大量新型量子器件的诞生提供了新的源泉。电子的自旋通常有两种取向:自旋向上和自旋向下。在传统的金属电子学中，因为在非磁性的金属中，自旋向上和自旋向下的电子数是相等的，此时自旋极化率为O，被称为电子自旋简并，所以不存在净磁矩，因此无法利用自旋来实现各种功能，正是由于这个原因，电子的自旋属性被长期忽略，导致在大多数应用中没有被加以应用。而在磁性的金属中，由于存在交换作用，不同的自旋取向的两个子带产生一定的相对位移，即交换劈裂，因此此时的自旋极化率不再为O。因为半金属铁磁(HMF)的自旋极化率很高，所以HMF常常被作为自旋注入的材料。1990年Datta和Das首次提出了利用电子自旋特性的新型电子器件——自旋场效应晶体管(spinFET)，Datta和Das提出的spinFET是一个分水岭，是第一次利用自旋这个自...
【技术保护点】
一种双栅自旋场效应晶体管，其特征在于该场效应管包括：位于同一轴线上的半金属铁磁（1）、自旋随机层（2）、隧穿氧化层（3）、导电沟道（4）、源极（S）和漏极（D），位于半金属铁磁（1）、自旋随机层（2）、隧穿氧化层（3）、导电沟道（4）外周的栅氧化层（5）、金属栅（6）和栅极（G）；该场效应晶体管是一种双栅结构，其中用硅作为导电沟道（4），该导电沟道（4）位于中间，在导电沟道（4）的两旁为隧穿氧化层（3），在隧穿氧化层（3）的两旁为自旋随机层（2），在自旋随机层（2）的两旁为半金属铁磁（1），在半金属铁磁（1）的两旁分别为源极（S）和漏极（D）；栅氧化层（5）环绕在半金属铁磁...
【技术特征摘要】
1.一种双栅自旋场效应晶体管，其特征在于该场效应管包括:位于同一轴线上的半金属铁磁(I)、自旋随机层(2)、隧穿氧化层(3)、导电沟道(4)、源极(S)和漏极(D)，位于半金属铁磁(I)、自旋随机层(2)、隧穿氧化层(3)、导电沟道(4)外周的栅氧化层(5)、金属栅(6)和栅极(G);该场效应晶体管是一种双栅结构，其中用硅作为导电沟道(4)，该导电沟道(4 )位于中间，在导电沟道(4 )的两旁为隧穿氧化层(3 )，在隧穿氧化层(3 )的两旁为自旋随机层(2)，在自旋...
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