烧结添加组合物、介电陶瓷组合物、及它们的应用制造技术

本发明专利技术是关于一种烧结添加组合物，包括：二氧化硅、三氧化二硼；以及至少二改质成分，该改质成分选自下列所组成的群组：三氧化钨、三氧化钼及二氧化锡，其中以烧结添加组合物总量为100摩尔，二氧化硅的含量介于60摩尔与85摩尔之间，三氧化二硼的含量介于10摩尔与35摩尔之间，且该至少二改质成分的含量介于0.1摩尔与5摩尔之间。此外，本发明专利技术还关于一种包含烧结添加组合物的介电陶瓷组合物。本发明专利技术还关于一种包含介电陶瓷组合物的积层陶瓷电容器，由于所述的组合物可具备绝佳的低温烧结特性，因而能够提升电容器的可靠度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种烧结添加组合物、介电陶瓷组合物以及包含该组合物的积层陶瓷电容器。
技术介绍
随着近年来电子产业的蓬勃发展，积层陶瓷电容器已快速地往积层陶瓷小型化、薄层化、与高容量化的方向发展。于积层陶瓷电容器中，是在介电陶瓷组合物中叠置内电极层，并令其经过烧结步骤而制得介电层与内电极层相互堆叠的陶瓷烧结体。然而，在积层陶瓷电容器薄层化的发展中，内电极层会因为高温烧结收缩而降低有效电极的面积大小，使积层陶瓷电容器的可靠性下降。因此，为了提升内电极层的连续性及微观组织的分布情形，如何发展出一种具备绝佳低温烧结特性的介电陶瓷组合物便成为一门十分重要的课题。如中国台湾专利公告第1326092号中，提出一种介电体陶瓷组合物，该组合物以二氧化硅为主要玻璃成分，以氧化镁、氧化钙、氧化锶或氧化钡作为第一玻璃组合物，并且加入含有三氧化二硼、三氧化二铝、氧化锌、及二氧化硅的烧结助剂，以提升组合物的低温烧结特性。此外，于中国台湾专利公告第1299727号中，则提出一种以(Ba，Ca)TiO3为主要成分的介电陶瓷材料，另加入镁、锰、稀土类金属的氧化物以及含有硅成分的烧结助剂，以设法将介电层往薄层化的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种烧结添加组合物，包括：二氧化硅；三氧化二硼；以及至少二改质成分，这些改质成分选自下列所组成的群组：三氧化钨、三氧化钼及二氧化锡；其中以烧结添加组合物总量为100摩尔，二氧化硅的含量介于60摩尔与85摩尔之间，三氧化二硼的含量介于10摩尔与35摩尔之间，且该至少二改质成分的含量介于0.1摩尔与5摩尔之间。

【技术特征摘要】
1.一种烧结添加组合物，包括: 二氧化硅； 三氧化二硼；以及 至少二改质成分，这些改质成分选自下列所组成的群组:三氧化钨、三氧化钥及二氧化锡； 其中以烧结添加组合物总量为100摩尔，二氧化硅的含量介于60摩尔与85摩尔之间，三氧化二硼的含量介于10摩尔与35摩尔之间，且该至少二改质成分的含量介于0.1摩尔与5摩尔之间。2.如权利要求1所述的烧结添加组合物，该烧结添加组合物是呈球状颗粒，且其粒径为50纳米至100纳米。3.一种介电陶瓷组合物，包括: 钛酸钡； 一种如权利要求1至2中任一项所述的烧结添加组合物；以及 至少一次要成分，该次要成分选自下列所组成的群组:稀土氧化物、含镁化合物、氧化锰及三氧化二铝； 其中以钛酸钡的含量为100摩尔，所述烧结添加组合物的含量介于0.5摩尔与5摩尔之间，且所述至少一次要成分的含量介于0.05摩尔与4.8摩尔之间。4.如权利要求3所述的介电陶瓷组合物，其中稀土氧化物的含量介于0.2摩尔与I摩尔之间，含镁化合物介于0.5摩尔与3摩尔之间，氧化锰占...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡聪智，萧富昌，柯汉洲，
申请(专利权)人：东莞华科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：