靶连接体结构的基于激光的去除制造技术

提供了用于去除形成在基底上的电路的一个或多个靶连接体结构的基于激光的方法和系统，所述方法和系统包括以小于基底的吸收边的预定波长产生脉冲激光输出。激光输出包括至少一个具有在大约１０皮秒到小于１纳秒范围内的脉冲持续时间的脉冲，脉冲持续时间处于热激光处理范围内。所述方法还包括将激光输出传递并聚焦在靶连接体结构上。聚焦激光输出在靶连接体结构内的位置处具有充足的功率密度，以减小靶连接体结构的反射率并有效地将聚焦激光输出耦合到靶连接体结构，从而去除靶连接体结构而不损坏基底。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及激光处理方法和系统的领域，具体涉及用于去除形成在基 底上的一个或多个导电耙连4妻体结构(target link structure )的方法和系统。 本专利技术可特别地适用于，但不限于，冗余半导体存储器件的激光修复。2.
技术介绍
经济性和器件性能已经驱使DRAM和逻辑器件的大小达到非常小的 物理尺寸。近年来，不仅器件小了，而且互连和连接体厚度也急剧地减小。连接体的 一 些热激光处理依赖连接体上的氧化物和连接体本身之间 的热膨胀差异，如文献HANDBOOK OF LASER MATERIALS PROCESSING, Chapter 19, pp. 595-615， Laser Institute of America (2001)中 的"Link Cutting/Making (连接体切割/制造)"所述。不同的膨胀导致氧化 物所包含的熔融连接体具有内建高压。连接体上的氧化物必须包含连接体 处于熔融状态足够长的时间，以建立足够的压力来使氧化物破裂并极为迅 速地去除连接体材料。如果压力太低，连接体就不会被去除干净。可选的 激光波长和激光控制器力求增加激光"能量窗口"且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于激光的方法，其去除形成在基底上的电路的靶连接体结构，而不引起对所述基底、在所述靶连接体结构和所述基底之间的任何电介质层、或与所述靶连接体结构相邻的连接体结构的不希望的损坏，所述靶连接体结构位于一组连接体结构中，在所述一组连接体结构中的至少一些连接体结构可被小于２μｍ的间距所分隔开，所述方法包括：　使用具有第一预定波长的种子激光器、以大于大约１ＭＨｚ的重复率产生激光脉冲序列；　光学放大所述激光脉冲序列的至少一部分，以得到放大的输出脉冲序列；以及　在所述 基底的相对运动期间，将所述放大的输出脉冲序列的脉冲传递和聚焦在所述靶连接体结构上，实质上所述放大的输出...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：古博，唐纳德V斯马特，詹姆士J考丁雷，乔汉李，唐纳德J斯维特科夫，谢巴德D约翰逊，乔纳森S艾尔曼，
申请(专利权)人：通明国际科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]