激光加工的控制方法技术

本发明专利技术提供了一种紫外线激光束用于加工半导体。激光束的强度（Ｉ＃－［Ｂ］）是从一个数值范围内精选出来的，在该数值范围内材料去除率随着强度（Ｉ＃－［Ｂ］）的增加呈线性增加。一个细长的结构，如水槽或狭缝，可以通过在ｚ方向上每取一个Ｚ＃－［－ｉｎｔｅｇｅｒ］值时，各进行ｎ次横向偏移的扫描来形成。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其是涉及半导体材料的激光加工，如硅晶片、砷化镓、锗化硅、铟的磷化物等。业界也使用激光束加工半导体基体。美国专利第5,214,261揭露了一种用深紫外线激发的激光束切割半导体基体的方法。然而，在很多应用方面，激发激光的加工速度不够。另一种激光如钕-钇铝石榴石激光器(1064纳米级)、二氧化碳激光器等同样被用在半导体基体的微加工上。这些激光产生大量的碎屑并有很大的热影响区。美国专利第4,224,101号揭露了用钕-钇铝石榴石激光器在半导体上加工凹槽，通常在加工凹槽之后会沿凹槽劈开并折断，甚至要求通过化学浸蚀去除碎屑及在加工时落在晶片表面并熔合在该表面上的一些颗粒。但这些激光器尚均未在精加工方面得到较好的应用。主要原因是切削边界形成的质量并不好。同时，在切削处产生了热量，而这会导致破坏所加工的元件的电学性能，加热基体材料在晶片中引起的热应力可能导致微裂纹，从而对使用寿命及功能产生不利的影响。美国专利第5,916,460号揭露了用散焦束及高压辅助气流来抑制微裂纹的产生。但一个散焦激光束射在晶片表面产生一个裂纹并沿切割方向扩展是很难进行控制的。因此，本专利技术目的在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用强度为Ｉ↓［Ｂ］、切痕宽度为Ｋ的激光束加工半导体材料以在该半导体材料上形成一宽度为Ｓ的结构的加工方法，其特征在于： 激光束扫描ｎ次，ｎ≥１，当ｎ＞１时，每一次在后的扫描均平行于前一次扫描作横向偏移，并且ｎ≥Ｓ／Ｋ。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：爱德里安鲍耶尔，加利杜纳，玛利亚法萨利，
申请(专利权)人：埃克赛尔技术有限公司，
类型：发明
国别省市：IE[爱尔兰]