一种具有多晶硅吸杂结构的硅片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有多晶硅吸杂结构的硅片，它包括：单晶硅片本体，依次附在单晶硅片本体一侧的P+层掺杂层或N+层掺杂层、喷砂处理层、多晶硅层、及位于喷砂处理层、多晶硅层边界间的吸附层。所述喷砂处理层的厚度为2～12微米。，所述多晶硅层的厚度为300～3000埃。本实用新型专利技术具有如下优点：通过多晶硅层淀积过程中得到的位于喷砂处理层、多晶硅层边界间的吸附层吸附硅片中缺陷和杂质，特别是金属杂质离子，使硅片体内的杂质和缺陷从器件工作区被吸附到表面的吸附层内，利于在进一步的加工中被去除、从而达到降低缺陷和漏电流的目的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件，尤其是涉及一种具有多晶硅吸杂结构的硅片。
技术介绍
现有技术中，硅半导体器件在其实际应用中需要较低的反向漏电流以提高可靠性，但是硅提炼过程和半导体器件工艺过程中不可避免的会受到一些过程介质如金属离子等污染，引入的上述金属离子等污染在后续高温过程中游离到PN结，从而引起半导体器件PN结反向漏电流增大，使器件工作时的稳定性大大降低。所以对于硅半导体器件在高可靠性、高稳定性工作状态的需求下，需要一种可供制作极大减少反向漏电流的硅片。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术不足之处而提供一种结构简单、可有效防止金属离子污染、降低反向漏电流的具有多晶硅吸杂结构的硅片。本技术的目的是通过以下措施来实现一种具有多晶硅吸杂结构的硅片，它包括单晶硅片本体，其特征在于，还有依次附在单晶硅片本体一侧的P+层掺杂层或N+层掺杂层、喷砂处理层、多晶硅层、及位于喷砂处理层、多晶硅层边界间的吸附层。所述喷砂处理层的厚度为2 12微米。所述多晶硅层的厚度为300 3000埃。与现有技术相比，采用了本技术提出的一种具有多晶硅吸杂结构的硅片，具有如下优点通过多晶硅层淀积过程中得到的位于喷砂处理层、多晶硅层边界间的吸附层吸附硅片中缺陷和杂质，特别是金属杂质离子，使硅片体内的杂质和缺陷从器件工作区被吸附到表面的吸附层内，利于在进一步的加工中被去除、从而达到降低缺陷和漏电流的目的。附图说明图1是本技术提出的一个实施例结构示意图。具体实施方式以下结合附图对具体实施方式作详细说明。图1给出了本技术的一个实施例结构示意图。图中，一种具有多晶硅吸杂结构的硅片，它包括单晶硅片本体1，依次附在单 晶硅片一侧的P+层掺杂层或N+层掺杂层2、喷砂处理层3、多晶硅层4、及位于喷砂处理层3、多晶硅层4边界间的吸附层5。所述喷砂处理层的厚度为2 12微米。所述多晶硅层的厚度为300 3000埃。多晶硅层可采用低压化学气相淀积方式获得。在喷砂处理层过程后，具有比单晶硅较高密度的晶界、位错及微缺陷的多晶硅层继续叠加生长。之后经过高温退火，金属杂质离子获得能量被位于喷砂处理层至多晶硅层富含缺陷中心捕获，并主要分布在多晶硅层。并在后续的工艺高温制作过程中，位于喷砂处理层与多晶硅层交界出的多晶硅因高温氧化而耗尽，会诱生出高密度的氧化层错，继续起到吸附金属杂质离子的作用。在器件金属化前，可采用等离子刻蚀法将多晶硅层至喷砂处理层表面去除，起到去除金属杂质离子的效果。上述实施例并不构成对本技术的限制，凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案， 均落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多晶硅吸杂结构的硅片，它包括单晶硅片本体，其特征在于，还有依次附在单晶硅片本体一侧的P+层掺杂层或N+层掺杂层、喷砂处理层、多晶硅层、及位于喷砂处理层、多晶硅层边界间的吸附层。

【技术特征摘要】
1.一种具有多晶硅吸杂结构的硅片，它包括单晶硅片本体，其特征在于，还有依次附在单晶硅片本体一侧的P+层掺杂层或N+层掺杂层、喷砂处理层、多晶硅层、及位于喷砂处理层、多晶硅层边界间的吸附层。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：周宾，袁德成，张意远，俞栋梁，冯亚宁，
申请(专利权)人：上海美高森美半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：