冗余图形的填充方法技术

本发明专利技术公开了一种冗余图形的填充方法，包括步骤：1)根据半导体器件中各层次的相互关系，计算出芯片上不可填充冗余图形区域与可填充冗余图形区域；2)以不可填充冗余图形区域的边界作为填充算法的起始边，环状填充冗余图形，每一次环状填充为填充算法的一个计算循环。该方法将不可填充区域的边界作为填充算法的起始边，环状插入冗余图形，如此，保证了在需要冗余图形保护的器件周围，优先插入冗余图形，从而得以更好地保证器件的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种。
技术介绍
在半导体集成电路制造中，化学机械研磨(CMP, Chemical MechanicalPlanarization)和干法刻蚀工艺,都采用冗余图形填充方法(dummy insertion)来改善面内均一'I生。目前的冗余图形填充方法为先根据器件的各层次间的关系，计算出冗余图形的可填充区域，然后对于可填充区域，从一个端点开始计算，插入冗余图形，直到达到可填充区域的边界。这种方法，在特定的一些位置，由于算法初始坐标的问题，会导致在局部符合填充规则的区域，也不能成功地填充冗余图形。例如图1所示，冗余图形是边长为a的正方形，两个冗余图形的间距为b;如图2所示，芯片中有一个区域为不可填充冗余图形的区域，这个区域的上边界与芯片的上边界的距离为a+2b，正好是一个冗余图形可以填充的距离，但是，能不能真正插入一个冗余图形，要受到冗余图形插入算法的计算初始点的影响，如果计算初始点不在该不可填充冗余图形区域的上边界(图2中计算初始点在芯片的左下角)，冗余图形就不能在这个边界正常插入，从而导致器件在需要冗余图形的区域得不到填充。随着半导体器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种冗余图形的填充方法，其特征在于，包括以下步骤：1)根据半导体器件中各层次的相互关系，计算出芯片上不可填充冗余图形区域与可填充冗余图形区域；2)以不可填充冗余图形区域的边界作为填充算法的起始边，环状填充冗余图形，每一次环状填充为填充算法的一个计算循环。

【技术特征摘要】
1.一种冗余图形的填充方法，其特征在于，包括以下步骤 1)根据半导体器件中各层次的相互关系，计算出芯片上不可填充冗余图形区域与可填充冗余图形区域； 2)以不可填充冗余图形区域的边界作为填充算法的起始边，环状填充冗余图形，每一次环状填充为填充算法的一个计算循环。2.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤2)中，首次填充时，若正对的两个不可填...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福成，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：