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本发明公开了一种冗余图形的填充方法,包括步骤:1)根据半导体器件中各层次的相互关系,计算出芯片上不可填充冗余图形区域与可填充冗余图形区域;2)以不可填充冗余图形区域的边界作为填充算法的起始边,环状填充冗余图形,每一次环状填充为填充算法的一个...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种冗余图形的填充方法,包括步骤:1)根据半导体器件中各层次的相互关系,计算出芯片上不可填充冗余图形区域与可填充冗余图形区域;2)以不可填充冗余图形区域的边界作为填充算法的起始边,环状填充冗余图形,每一次环状填充为填充算法的一个...