【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于PECVD设备表面电场增强
,具体地说是一种用于大型板式PECVD设备的表面电场增强装置。
技术介绍
随着经济建设的快速发展,微电子技术得到了迅猛地发展,PECVD等离子体处理设备的开发和使用也日益广泛。PECVD即为等离子体增强化学气相沉积法,在化学气相沉积时,为了使化学反应能在较低的温度下进行,可以利用了等离子体的活性来促进反应,这种化学气相沉积方法称为等离子体增强化学气相沉积法,实施该种加工方法的设备为PECVD设备。工业化应用的微波PECVD方法反应腔的特点是它的等离子体源的组成是由几根(数目由系统的规模,即产能而定。)I米长的石英管平行并列,每根石英管内有一根铜棒天线,形成同轴系统。每根铜棒天线两端分别连接一个微波发生器。微波等离子体是一种不需电极和发热体的等离子反应系统。微波PECVD是由工作频率在2. 45GHZ的微波与在低真空(I(T1-Kr2Iiibar)下,激发反应气体SiH4 (硅烷)和NH3 (氨),利用气体放电时产生的高温促使气体发生化学反应而淀积在衬底上形成SiN膜。在微波激发气体过程中,石英管外部周围形成一圈发紫 ...
【技术保护点】
一种用于大型板式PECVD设备的表面电场增强装置,其特征在于:包括工艺腔(7)和设置于工艺腔(7)内的电极基板(3)、碳板(2)、传输滚轮(1)及绝缘销(8),其中电极基板(3)通过绝缘销(8)固接于工艺腔(7)的内壁上,所述碳板(2)设置于传输滚轮(1)上、并位于电极基板(3)的下方,碳板(2)与电极基板(3)之间留有间隙,所述电极基板(3)接入电压,吸引N3?或Si4+离子。
【技术特征摘要】
1.一种用于大型板式PECVD设备的表面电场增强装置,其特征在于包括エ艺腔(7)和设置于エ艺腔(7)内的电极基板(3)、碳板(2)、传输滚轮(I)及绝缘销(8),其中电极基板(3)通过绝缘销(8)固接于エ艺腔(7)的内壁上,所述碳板(2)设置于传输滚轮(I)上、并位于电极基板(3)的下方,碳板(2)与电极基板(3)之间留有间隙,所述电极基板(3)接入电压,吸引N3-或Si4+离子。2.按权利要求1所述的用于大型板式PECVD设备的表面电场增强装置,其特征在于所述电极基板(3)与电极基板(3)之间的间隙为10 ...
【专利技术属性】
技术研发人员:李昌龙,赵崇凌,李士军,张健,张冬,洪克超,徐宝利,钟福强,陆涛,许新,王刚,刘兴,张妍,王学敏,李松,屈秋霞,张缔,朱龙来,徐浩宇,赵科新,闫用用,
申请(专利权)人:中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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