【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氧化物纳米线，尤其涉及Tb3+离子掺杂的ZrO2纳米线。
技术介绍
纳米发光材料是指基质的粒子尺寸在1-1OOnm的发光材料,它包括半导体纳米晶体发光材料和具有分立发光中心的掺杂稀土或过渡金属离子的纳米发光材料。1994年Bharagava等首次报道了过渡金属离子掺杂半导体纳米微粒Zns:Mn的发光性质,发现其发光寿命缩短了 5个数量级，而外量子效率仍高达18%。尽管这是一个有争议的结果，但是却引起了人们半导体纳米发光材料的极大兴趣。目前，在半导体纳米发光材料上已经进行了大量的、较深入的研究，如量子点、量子线、量子阱、超品格、多孔硅和有序纳米结构阵列等。在理论上，主要探讨量子限域效应和小尺寸效应等对半导体材料能带结构和光谱性质的影响；在应用上，从材料的制备和加工入手，寻找材料的应用及功能器件制造的途径。与此同时，稀土或过渡金属离子掺杂的纳米发光材料也开始受到关注，并探索了大量的合成方法，如沉淀法、热分解法、溶胶-凝胶法、燃烧法、激光蒸发冷凝法、CVD法、水热法、模板组装等。从应用的背景考虑，以掺杂纳米材料取代相应的体材料，可以提高显示的分辨率，并能在光电器件、光催化和化学传感器等方面有更多应用。从基础研究考虑，掺杂纳米发光材料为研究微观表面物理问题尤其是表面微观环境提供了理想的载体。因此，稀土和过渡金属掺杂纳米发光材料正成为发光学·研究的热点之一。
技术实现思路
本专利技术采用气-液-固法合成Tb3+离子掺杂的ZrO2纳米线。这些掺杂纳米线表现出新奇的绿色发光特性。本专利技术提供一种Tb3+离子掺杂的ZrO2纳米线的合成方法，采用气-液-固...
【技术保护点】
一种Tb3+离子掺杂的ZrO2纳米线的合成方法，采用气?液?固法合成，包括：把Zr?Fe?Tb合金在氮气保护下球磨8小时；保持Ar气和氢气的流量比为10:1，进行加热；炉温达到1210℃后保持反应三小时，然后在Ar气保护下冷却到室温；收集白色粉末。
【技术特征摘要】
1. 一种Tb3+离子掺杂的Zr02纳米线的合成方法，采用气-液-固法合成，包括 把Zr-Fe-Tb合金在氮气保护下球磨8小时；...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘雷，肖太升，倪海玲，刘桂英，
申请(专利权)人：青岛盛嘉信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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