铒镱共掺杂氧化锆发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件技术

本发明专利技术属于光电发光薄膜领域，其公开了一种铒镱共掺杂氧化锆发光薄膜及其制备方法、有机电致发光器件；该发光薄膜的化学通式为Zr1-m-nO2:mEr3+，nYb3+；其中，Zr1-m-nO2为基质，Er和Yb为掺杂元素m的取值范围为0.005～0.015，n的取值范围为0.001～0.008。本发明专利技术采用磁控溅射设备，制备铒镱共掺杂氧化锆发光薄膜，在652nm和673nm波长区都有很强的发光峰，是电致发光器件的发展材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电发光薄膜领域，尤其涉及一种铒镱共掺杂氧化锆发光薄膜及其制备方法。本专利技术还涉及一种使用该铒镱共掺杂氧化锆发光薄膜作为发光层的有机电致发光器件。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。二氧化锆(ZrO2)具有熔点高、硬度大、耐磨性好、化学稳定性好、抗蚀性能优良等优点，在红外防伪、液晶显示器、冶金、航天航空、化工、环境、生物及医学等领域已显示了广阔的应用前景，近来也成为了一类十分重要的发光基质材料。而目前利用掺杂氧化锆制备成电致发光的薄膜，仍未见报道。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种以氧化锆为基质、铒和镱元素为主要发光中心的铒镱共掺杂氧化锆发光薄膜。本专利技术的铒镱共掺杂氧化锆发光薄膜，其化学通式为Zri_m_n02:mEr3+，nYb3+ ;其中，Zr1^nO2为基质，Er (铒)和Yb (镱)为掺杂元素；m的取值范围为O. 005 O. 015，η的取值范围为O. 00本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铒镱共掺杂氧化锆发光薄膜，其特征在于，该发光薄膜的化学通式为Zr1?m?nO2:mEr3+，nYb3+；其中，Zr1?m?nO2为基质，Er和Yb为掺杂元素；m的取值范围为0.005～0.015，n的取值范围为0.001～0.008。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，黄辉，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：