【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种化学机械抛光液，尤其涉及一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液。
技术介绍
在集成电路制造中，互连技术的标准在提高，一层上面又沉积一层，使得在衬底表面形成了不规则的形貌。现有技术中使用的一种平坦化方法就是化学机械抛光(CMP)，CMP工艺就是使用一种含磨料和化学物质的混合物和抛光垫去抛光一硅片表面。在典型的化学机械抛光方法中，将衬底直接与旋转抛光垫接触，用一载重物在衬底背面施加压力。在抛光期间，垫片和操作台旋转，同时在衬底背面保持向下的力，将磨料和化学活性的溶液(通常称为抛光液或抛光浆料)涂于垫片上，该抛光液与正在抛光的薄膜发生化学机械反应开始进行抛光过程。对于多晶娃的抛光，目前主要应用于两种芯片，一种是DRAM, —种是Flash.后者应用中往往在对多晶硅的抛光中会涉及到对二氧化硅的抛光。在以往的主要利用以二氧化硅为研磨颗粒的碱性浆料来抛光多晶硅层和二氧化硅层的情况下，多晶硅的除取速率往往比二氧化硅的除去速率高得多，易导致多晶硅的过量去除而产生凹陷，影响随后的工艺。 US2003/0153189A1公开了一种用于多晶娃抛光的化学机械抛光液及方法，...
【技术保护点】
一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒和水，其特征在于：还包括一种或多种氧化剂。
【技术特征摘要】
1.一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒和水，其特征在于还包括一种或多种氧化剂。2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于所述的氧化剂为1、含有至少一个过氧基(——O——O——)的化合物； I1、含有一个处于最高氧化态的元素的化合物。3.如权利要求2所述的抛光液，其特征在于所述的氧化剂为过氧化氢及其衍生物、过氧化脲、过氧甲酸、过氧乙酸、过硫酸盐、过碳酸钠、高碘酸及其盐、高氯酸及其盐或高硼酸及其盐中的一种或多种。4.如权利要求1至3任一所述的抛光液，其特征在于所述的氧化剂的重量百分比浓度为O.1 30%ο5.如权利要求4所述的抛光液，其特征在于所述的氧化剂的重量百分比浓...
【专利技术属性】
技术研发人员：荆建芬，张建，蔡鑫元，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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