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本发明公开了一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒和水，其还包括一种或多种氧化剂。本发明的抛光液可以在碱性条件下显著改变多晶硅的去除速率，调节多晶硅与二氧化硅的选择比,并明显提高多晶硅的平坦化效率和抛光残留物的去除。...
该专利属于安集微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安集微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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