【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及向待加工品照射激光进行加工时所采用的激光加工预测方法,激光加工品制造方法以及激光加工装置。有这样一种激光加工,对于半导体薄膜照射激光(激光束)实施划线。施行这种激光加工的半导体薄膜不限于单一层,也可以象叠层型化合物半导体太阳能电池那样将不同材料重叠且涂覆层叠为多层(太阳能电池就是四层)。在半导体薄膜上实施划线的激光加工,存在着以下方面在块状材料加工中没有的特殊情况(1)材料的薄膜性,(2)有选择性的除去加工,对于上述太阳能电池还有(3)不同材料的多层叠层构造。在半导体薄膜上实施划线时,重要的是仅在对准位置进行高精度的除去加工,并且避免使周围区域和下层受到物理的或热的损害。因此需要合适地设定激光照射条件。但是无法做到比较简单地知道这种合适的激光照射条件。进行边割边试(カトァンドトラィ)的实验,也许能获得合适的激光照射条件,但需要很多时间,而且所得的结果相对于工艺变化的有效性也低,靠边割边试来琢磨激光照射条件是不现实的。也就是说,以往没有把合适的激光照射条件搞得很清楚,所以难以对薄膜实施合适的激光加工。本专利技术鉴于以上情况,其目的在于提供一种可以 ...
【技术保护点】
一种激光加工预测方法,通过仿真手段,对于用激光照射待加工品,经过熔解照射部分或不经熔解使照射部分蒸发除去这种加工进行预测,其特征在于包括:求出待加工品内激光照射的能量密度分布和根据需要求出待加工品内辐射能量分布;根据所述能量密度分布的运算结果或所述两项运算结果求出待加工品微分元的发热量;利用该发热量运算结果检知微元的熔解或蒸发除去;并将该微分元的熔解或蒸发除去的检知结果加进所述能量密度分布的运算过程,根据需要加进辐射能量分布的运算过程,来进行激光加工的仿真。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:渡邊互,中裕之,一柳高畤,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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