一种晶体硅太阳电池正面电极结构制造技术

技术编号:8581535 阅读:146 留言:0更新日期:2013-04-15 05:19
本实用新型专利技术公开了一种晶体硅太阳电池正面电极结构,正面电极有两条以上主栅线、副主栅线和副栅线组成,主栅线、副主栅线和副栅线呈叶脉状排布。这种结构不但美观,而且可以增加太阳电池受光面积,节省浆料。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳电池电极结构,具体涉及ー种晶体硅太阳电池正面电极结构
技术介绍
如今太阳能电池行业的竞争归根到底是转换效率和成本的竞争,如何在提高转换效率的同时降低产品的成本,一直是行业追求的方向,其中正面电极的制备一直是行业比较关注的焦点之一。现有的晶体硅太阳电池的正面电极结构,常见的是由两条等间距且平行的长方形主栅线和与之垂直的多条副栅线组成,这种结构在增加光接受面积,提高效率方面的能力已经变得很有限。
技术实现思路
本技术的目的就是针对上述存在的缺陷而提供的一种晶体硅太阳电池正面电极结构。植物在千百万年的进化过程中,其叶脉选择了ー种最有效的接受太阳光并进行光合作用的分布方式。随着浆料和网银技术的发展,可以印刷出高宽比更高的电极,本技术的正面电极使用叶脉的分布方式达到最有效的受光面积,节省浆料,并达到美观的效果。本技术的ー种晶体硅太阳电池正面电极结构技术方案为,正面电极有两条以上主栅线、副主栅线和副栅线组成,主栅线、副主栅线和副栅线呈叶脉状排布,主栅线等距且平行排列,副主栅线为弧形结构,与主栅线连接并沿主栅线呈树枝状对称等距分布,且在主栅线同一侧的副主栅线互相平行,副栅线分布在副主栅线之间,与副主栅线垂直交叉呈网状。副主栅线的宽度从与主栅线接触的位置到末端逐渐变窄。主栅线由中间到两端逐渐变窄,尖端距离晶体硅边缘的距离Imm 50mm。在晶体硅片的边缘有一条封闭的矩形边副栅线,晶体硅片上的延伸到晶体硅片边缘的栅线到边副栅线为止。本技术的有益效果为本技术的ー种晶体硅太阳电池正面电极结构,有两条以上主栅线、副主栅线和副栅线组成,主栅线、副主栅线和副栅线呈叶脉状排布,植物在千百万年的进化过程中,其叶脉选择了ー种最有效的接受太阳光并进行光合作用的分布方式。随着浆料和网银技术的发展,可以印刷出高宽比更高的电极,本技术的正面电极使用叶脉的分布方式达到最有效的受光面积,节省浆料,并达到美观的效果。附图说明图1是太阳电池用正面电极结构示意图;图中,1.副主栅线;2.主栅线;3.副栅线;4.边副栅线;5.晶体硅片。具体实施方式为了更好地理解本技术,以下结合附图来详细说明本技术的技术方案,但是本技术并不局限于此。实施例1參见图1,正面电极有两条以上主栅线2、副主栅线I和副栅线3组成,主栅线2、副主栅线I和副栅线3呈叶脉状排布,主栅线2等距且平行排列,副主栅线I为弧形结构,与主栅线2连接并沿主栅线2呈树枝状对称等距分布,且在主栅线2同一侧的副主栅线I互相平行,副栅线3分布在副主栅线I之间,与副主栅线I垂直交叉呈网状。副主栅线I的宽度从与主栅线2接触的位置到末端逐渐变窄。主栅线2由中间到两端逐渐变窄,尖端距离晶体硅边缘的距离Imm 50mm。在晶体硅片5的边缘有一条封闭的矩形边副栅线4,晶体硅片5上的延伸到晶体硅片5边缘的栅线到边 副栅线4为止。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳电池正面电极结构,其特征在于,正面电极有两条以上主栅线、副主栅线和副栅线组成,主栅线、副主栅线和副栅线呈叶脉状排布,主栅线等距且平行排列,副主栅线为弧形结构,与主栅线连接并沿主栅线呈树枝状对称等距分布,且在主栅线同一侧的副主栅线互相平行,副栅线分布在副主栅线之间,与副主栅线垂直交叉呈网状。

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳电池正面电极结构,其特征在于,正面电极有两条以上主栅线、副主栅线和副栅线组成,主栅线、副主栅线和副栅线呈叶脉状排布,主栅线等距且平行排列,副主栅线为弧形结构,与主栅线连接并沿主栅线呈树枝状对称等距分布,且在主栅线同一侧的副主栅线互相平行,副栅线分布在副主栅线之间,与副主栅线垂直交叉呈网状。2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池正面电极结构...

【专利技术属性】
技术研发人员:贾河顺姜言森程亮任现坤张春艳孙继峰马继磊徐振华李钢
申请(专利权)人:山东力诺太阳能电力股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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