一种晶体硅太阳电池背面电极结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶体硅太阳电池背面电极结构，背面电极由一条以上主栅线和两条以上副栅线组成，主栅线在长轴方向中点被分割为一条n型主栅线和一条p型主栅线；副栅线分布在主栅线两侧呈相对的“C”字形结构，“C”字形结构的两端分别分布在n型主栅线和p型主栅线的一侧，其中一端与主栅线垂直连接，另一端不连接。这种结构不但在不改变传统模组技术的前提下实现背接触式高效太阳电池的封装，而且可以节省背面金属浆料。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳电池电极结构，具体涉及ー种晶体硅太阳电池背面电极结构。
技术介绍
现有的太阳电池，特别是晶硅太阳电池的电极结构，经常在电池的正面和背面网印ー层金属电极，收集少数载流子，但是正面电极減少了太阳光的受光面积，从而減少了太阳电池的转化效率。背接触式太阳电池通过镭射隧道的形式把部分或全部正面电极转移到背面，因此具有不同发射极类型的电极需要合理的设计在电池的背面。一般的背接触式电池背电极采用至少ー对并行排列的主栅和多条叉指状副栅的电极结构。但是这种电极结构降低了主栅的利 用率，从而隐形的増加了浆料成本，举例来说如果采取两条主栅的方式，则主栅只有一边可以接受少数载流子，则主栅的利用率损失了 50% ;背面接触式太阳电池的双面都有n型发射极，可以具备双面集电的固有效果，但是如果采取多条主栅的形式又会降低背面发射极的利用面积。因此来自于集成电路技术的传统叉指状电极不是最适合背接触式太阳电池的电极结构。
技术实现思路
本技术的目的就是针对上述存在的缺陷而提供的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，该结构可以在不降低电池片和模组光电转换效率的情况下，不但可以节省浆料，而且还可以和常用的网印机台兼容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，背面电极由一条以上主栅线和两条以上副栅线组成，主栅线在长轴方向中点被分割为一条n型主栅线和一条p型主栅线；副栅线分布在主栅线两侧呈相对的“C”字形结构，“C”字形结构的两端分别分布在n型主栅线和p型主栅线的一侧，其中一端与主栅线垂直连接，另一端不连接。

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，背面电极由一条以上主栅线和两条以上副栅线组成，主栅线在长轴方向中点被分割为一条η型主栅线和一条P型主栅线；副栅线分布在主栅线两侧呈相对的“C”字形结构，“C”字形结构的两端分别分布在η型主栅线和P型主栅线的一侧，其中一端与主栅线垂直连接，另一端不连接。2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，η型主栅线和P型主栅线之间的距离为O. lmnT50mm。3.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾河顺，姜言森，程亮，任现坤，张春艳，孙继峰，马继磊，徐振华，李钢，
申请(专利权)人：山东力诺太阳能电力股份有限公司，
类型：实用新型
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