【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】要求在先提交的美国申请的权益本申请根据35U. S.C. § 120，要求2010年6月30日提交的美国申请系列号第12/827，666号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。
技术介绍
本申请一般地涉及一种制备与另一种材料表面进行结合的材料表面的方法，更具体地，涉及一种对基材的不可结合表面进行处理的氧等离子体转化方法，该方法使得所述基材的不可结合表面与另一种基材的表面变得可结合，更具体地，涉及制备给体晶片的可结合表面，该可结合表面可以与玻璃板的表面结合以形成玻璃上半导体(SOG)基材。迄今为止，最广泛用于绝缘体上半导体结构的半导体材料是单晶硅。文献中将这种结构称作绝缘体上硅结构，并将缩写“SOI”用于这种结构。绝缘体上硅技术对高性能薄膜晶体管、太阳能电池和显示器越来越重要。绝缘体上硅晶片由绝缘材料上的基本为单晶硅的薄层(厚度为0.01-1微米)构成。本文所用术语“SOI”应该被更广泛地理解为薄层材料和除了硅之外的以及包含硅的绝缘半导体材料。获得SOI结构的各种方法包括在晶格匹配的基材上外延生长硅。另一种方法包括将单晶硅晶片与另一个其上已生长SiO2的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.30 US 12/827,6661.一种对半导体晶片的不可结合表面进行制备的方法，使得所述不可结合表面与另一种基材进行结合，该方法包括以下步骤 得到具有结合表面的半导体晶片，所述结合表面不能与另一种基材发生结合； 用氧等离子体对半导体晶片的结合表面进行处理，对所述半导体晶片的结合表面进行氧化，并将半导体晶片的表面区域转化为氧化物层，所述氧化物层是亲水性且可以与另一种基材结合。2.如权利要求1所述的方法，该方法还包括 在所述对半导体晶片的结合表面进行处理的步骤之前，将离子通过结合表面注入到半导体晶片中，在给体晶片中形成弱化区域并将半导体剥离层限定在所述弱化区域和结合表面之间的半导体晶片中，该注入步骤污染了给体晶片的结合表面的表面区域； 其特征在于，所述对半导体晶片的结合表面进行处理的步骤至少将给体晶片的结合表面的被污染表面区域转化为牺牲氧化物层； 从给体晶片的结合表面剥除牺牲氧化物层，从而去除给体晶片的结合表面的被污染表面区域，并暴露出半导体晶片的清洁结合表面；以及 用氧等离子体对半导体晶片的清洁结合表面进行处理，对所述半导体晶片的结合表面进行氧化，并将半导体晶片的表面区域转化为氧化物结合层，所述氧化物结合层是亲水性且可以与另一种基材结合。3.如权利要求2所述的方法，该方法还包括 得到具有结合表面的绝缘支撑基材； 使得半导体晶片的结合层与支撑基材的结合表面发生接触； 使得所述结合层与支撑基材结合；以及 从半导体晶片的余下部分分离剥离层，留下与支撑基材结合的剥离层。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述支撑基材是玻璃基材。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述给体晶片是Ge晶片。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片的表面在其上具有由阻隔材料形成的阻隔层，该阻隔材料不可与另一种基材结合，所述阻隔层形成半导体晶片的结合表面；以及 所述用氧等离子体对半导体晶片的结合表面进行处理的步骤，将阻隔层的靠近表面区域转化为氧化物层，所述氧化物层是亲水性的并可与另一种基材发生结合，同时阻隔层的余下部分仍是未氧化的阻隔材料。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述阻隔层由SixNy和SiNxOy中的一种形成。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对半导体晶片的结合表面进行处理的步骤将阻隔层的表面区域转化为厚度约为2nm至约150nm,约5nm至约50nm,约2nm至约20nm,约5nm至约IOnm或者约5nm,并且表面粗糙度小于O. 3nm RMS的SiO2层。9.如权利要求7所述的方法，该方法还包括 得到具有结合表面的玻璃基材； 使得阻隔层上的氧化物层与玻璃基材的结合表面接触； 使得所述氧化物层与玻璃基材结合；以及 从半导体晶片的余下部分分离剥离层，使得剥离层通过氧化物层与支撑基材结合，阻隔层的余下部分...
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