具有等体积的接触凸块的共面阵列的同步降压转换器制造技术

本发明专利技术涉及一种经封装电力供应模块(100)，其包含具有第一电力场效应晶体管FET的芯片(110)及具有以导电方式并排附接到导电载体(130)上的第二FET的第二芯片(120)，所述晶体管具有具第一面积(210)的接合垫，且所述载体具有具小于所述第一面积的第二面积(230)的接合垫。附接到所述晶体管接合垫的导电凸块(114、115、124、125)及附接到所述载体接合垫的导电凸块(126)具有相等的体积且是共面的(150)，所述晶体管垫上的所述凸块具有第一高度，且所述载体垫上的所述凸块具有大于所述第一高度的第二高度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及半导体装置及工艺的领域，且更明确来说，涉及具有等体积的接触凸块的共面阵列的薄、热高效电力供应模块的系统结构及制造方法。
技术介绍
DC/DC电力供应电路在流行的电力切换装置家族中，尤其是切换模式电力供应电路的类别。尤其适合新出现的电力递送要求的是具有串联连接且通过共用开关节点耦合在一起的两个电力MOS场效晶体管(FET)的同步降压转换器。在降压转换器中，控制FET芯片连接在供应电压Vin与LC输出滤波器之间，且同步FET芯片连接在LC输出滤波器与接地电位之间。控制FET芯片及同步FET芯片的栅极连接到包括用作所述转换器的驱动器的集成电路(IC)的半导体芯片；所述驱动器又连接到控制器1C。对于许多今天的电力切换装置来说，电力MOSFET的芯片及驱动器及控制器IC的芯片组装为个别组件。所述装置使用金属引线框，其通常具有由引线围绕的矩形垫。所述垫用作用于附接半导体芯片的衬底，且引线用作输出端子。引线通常在没有悬臂延伸的情况下成形，且以方形扁平无引脚(QFN)或小外形无引脚(SON)装置的方式布置。从芯片至IJ引线的电连接可以若干方式提供。在一个装置家族中，所述连接通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，其包含：载体，其具有带有多个接触垫的表面，所述垫不位于一平面上；多个焊料凸块，其具有相同的体积，一凸块附接到每一垫，每一凸块分布在相应的垫区域上且具有带有顶端的凸起表面；且所述顶端位于共用平面内。

【技术特征摘要】
2011.09.28 US 13/247,1741.一种设备，其包含 载体，其具有带有多个接触垫的表面，所述垫不位于一平面上； 多个焊料凸块，其具有相同的体积，一凸块附接到每一垫，每一凸块分布在相应的垫区域上且具有带有顶端的凸起表面；且所述顶端位于共用平面内。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述凸起凸块表面具有球形外形。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述凸起凸块表面是通过焊料回流工艺形成。4.一种经封装电力供应模块，其包含 具有第一电力场效晶体管FET的芯片及具有以导电方式并排附接到导电载体上的第二 FET的芯片，所述晶体管具有具第一面积的接合垫，且所述载体具有具小于所述第一面积的第二面积的接合垫；及 导电凸块，其附接到所述晶体管接合垫及所述载体接合垫，所述凸块具有相等的体积且共面，所述晶体管垫上的所述凸块具有第一高度，且所述载体垫上的所述凸块具有大于所述第一高度的第二高度。5.根据权利要求4所述的模块，其中所述第一及第二芯片具有相等的厚度。6.根据权利要求5所述的模块，其中所述晶体管接合垫位于第一平面内，且所述载体接合垫位于与所述第一平面间隔的第二平面内，所述间隔约等于所述芯片厚度。7.根据权利要求6所述的模块，其中所述第二凸块高度与所述第一凸块高度之间的差等于所述第一平面与所述第二平面之间的所述间隔。8.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡安·A·赫布佐默，奥斯瓦尔多·J·洛佩斯，乔纳森·A·诺奎尔，达维德·豪雷吉，马克·E·格拉纳亨，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：