用于时间测量的电荷流电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
用于时间测量的电荷流电路相关串请的交叉引用本申请在法律允许的最大程度上要求对通过引用而结合于此的、于2011年10月 6日提交的第11/59025号法国专利申请的优先权。
本公开内容主要地涉及电子电路，并且更具体地涉及形成一种实现可控地保持用 于时间测量的电荷的电路。
技术介绍
在许多应用中，希望具有代表在两个事件之间流逝的时间的信息(假设它是准确 或者近似测量)。一个应用例子涉及尤其对媒体的访问权的时间管理。获得代表流逝时间的这一信息常规地需要例如借助电池供电的电子电路的时间 测量以免在电路关断时失去信息的跟踪。将希望具有即使未向电子测量电路供电却仍然操作的时间测量。例如在专利申请W02008012459中已经提供一种电子设备，在该电子设备中，通过 测量电容存储元件的向它的电介质空间中泄漏的电荷来确定在两个事件之间流逝的时间， 该电容存储元件具有与电容性电荷流元件的电极连接的电极。在向设备供电时对存储元件 充电，并且当再次向设备供电时测量它在电源中断之后的残留电荷。这一残留电荷视为代 表在两个设备供电时间之间流逝的时间。电荷流元件在它的电介质空间中包括更小厚度的...
【技术保护点】
一种用于时间测量的电荷流电路，包括电串联的多个基本电容性元件，每个基本电容性元件经过它的电介质空间泄漏。
【技术特征摘要】
2011.10.06 FR 11590251.一种用于时间测量的电荷流电路，包括电串联的多个基本电容性元件，每个基本电容性元件经过它的电介质空间泄漏。2.根据权利要求1所述的电荷流电路，其中每个基本电容性元件包括第一电极、电介质层和第二电极的堆叠，所述电介质层包括能够通过隧道效应使电荷流动的更小厚度的至少ー个区域。3.根据权利要求2所述的电荷流电路，其中所述第一电极形成于集成电路芯片的相同第一传导或者半导体级中，并且其中所述第二电极形成于所述芯片的相同第二传导级中。4.根据权利要求2所述的电荷流电路，其中所述电介质层包括氧化物-氮化物-氧化物堆叠，所述更小厚度的至少ー个区域由硅氧化物制成。5.根据权利要求2所述的电荷流电路，其中所述第一电极和第二电极由多晶硅制成。6.根据权利要求2所述的电荷流电路，其中所述第一电极是半导体衬底的区域，并且所述第二电极由多晶硅制成。7.根据权利要求1所述的电荷流电路，其中每个...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·拉罗萨，P·福尔纳拉，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：发明
国别省市：
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