一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新方法技术

一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，选择器(300)，冗余单元(501)，检测电路(502)，脉冲产生器(503)和DRAM阵列，还包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，选择器(300)在选择信号Sel的控制下从VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB上，同时也输出到冗余单元(501)的晶体管衬底电压上。本发明专利技术还提出一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器
，尤其涉及。
技术介绍
DRAM会由于漏电流而造成数据破坏，因此，应当在单元数据丢失之前将数据读出之后再充电到初始的电荷水平。这个再充电的过程就称为刷新。另外，自刷新指的DRAM自身以固定的周期进行刷新，以维持standby状态的存储单元中的数据。另一方面，温度每上升10度，漏电流增加一倍。换句话说，当温度上升10度，存储单元数据的维持时间降低1/2，当上升50度时，维持时间降低到1/32。如上所描述，漏电流与温度密切相关，因此，温度是影响刷新周期的重要因素。即，自刷新周期在相对较高温度时应该更短。·参照附图1，为现有技术中采用单元检测器(cell detector)检测漏电情况的刷新频率控制技术。通过读冗余单元中电容漏电情况的直接检测，当漏电达到一定程度时，开启自刷新操作。图中101冗余单元存“I”。图2给出该方式的阈值电压Vth和刷新周期随温度T的变化关系。该方法中刷新周期能跟随温度T而连续变化，与阈值电压Vth随温度的连续变化相对应。但不足是，刷新周期变化太多，带来整体控制的复杂和不可靠。传统的冗余单元漏电检测方法(专利7619943)中，刷新频率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，选择器(300)，冗余单元(501)，检测电路(502)，脉冲产生器(503)和DRAM阵列，其特征在于：多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，选择器(300)在选择信号Sel的控制下从VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB上，同时也输出到冗余单元(501)的晶体管衬底电压上。

【技术特征摘要】
1.一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20η)，选择器(300)，冗余单元(501)，检测电路(502)，脉冲产生器(503)和DRAM阵列，其特征在于 多个衬底电压稳定模块(201、202、……20η)产生DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB1、VBB2、......VBBn， 选择器(300)在选择信号Sel的控制下从VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB上，同时也输出到冗余单元(501)的晶体管衬底电压上。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，冗余单元(501)始终存“1”，冗余单元(501)中一节点的电压情况被检测电路(502)所检测，一旦节点的电压降到一定程度，检测电路(502)会产生一个检测信号，输入到脉冲产生器(503)中，生成刷新脉冲信号Refrq。3.根据权利要求1所述的基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，其特征在于，其特征在于，衬底电压稳定模块包括三个定值电阻、一个三极管Tl、比较器和电荷泵。4.根据权利要求3所述的基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，其特征在于，三极管为跟DRAM阵列中晶体管完全相同的晶体管，取自冗余单元。...

【专利技术属性】
技术研发人员：解玉凤，林殷茵，孟超，程宽，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：