【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于化学领域。具体地，本专利技术涉及一种噻吩环/呋喃环-杂芳环砌块的合成方法。
技术介绍
噻吩环/呋喃环-杂芳环砌块在有机电子器件(如有机发光材料、光电材料、场效应半导体、有机太阳能电池等)中发挥相当重要的作用。然而，传统的合成噻吩环/呋喃环-杂芳环砌块的方法中，通常是由预活化的芳烃金属试剂(如芳基硼化合物、芳基锡化合物等)和卤代芳烃为原料制得(例如，(a)de Meijere1A. ;Diederich, F.Metal-Catalyzed Cross-Coupling Reactions, 2nd ed. ffiley-VCH, ffeinheim, 2004. (b)Cheng, Y. -J. ; Yan, S. -H. ; Hsu, C. -S. Chem. Rev. 2009, 109, 5868. (c) Carsten, B. ; He, F. ; Son，H. -J. ;Xu, T. ;Yu, L. Chem. Rev. 2011，111, 1493.)。但是，这些方法通常具有反应步骤冗长、官能团兼容性不好、某些反应需要用到一些剧毒的锡试剂等缺点。因此，探索一种安全、简便地噻吩环/呋喃环-杂芳环砌块的制备方法具有显著的意义。
技术实现思路
本 专利技术的目的是提供一种制备噻吩环/呋喃环及其衍生物-杂芳环砌块的安全、简便方法。本专利技术提供了一种式C所示的化合物的制备方法，其包括步骤于惰性溶剂中，以钯盐为催化剂，在氧化剂存在下，将式A化合物与式B化合物进行反应，从而形成式C化合物；
【技术保护点】
一种式C所示的化合物的制备方法，其特征在于，包括步骤：于惰性溶剂中，以钯盐为催化剂，在氧化剂存在下，将式A化合物与式B化合物进行反应，从而形成式C化合物；上述各式中，R1、R2、R3、R“1、R“2、R“3各自独立地为选自下组的基团：氢、氰基、卤素、C1?10烷基、卤代的C1?10烷基、C2?10烯基、卤代的C2?10烯基、C2?10炔基、被卤素或苯基取代的C2?10炔基、C1?10烷氧基、卤代的C1?10烷氧基、?(CO)NR6R7、?(CO)OC1?10烷基、C1?10烷基?羰基、甲酰基、苯基或被一个或多个选自卤素、C1?6烷基、C1?6烷氧基、?(CO)NR6R7、?COOC1?10烷基、C1?10烷基?羰基或甲酰基的基团所取代的苯基、噻吩或被一个或多个选自卤素、C1?6烷基、C1?6烷氧基、?(CO)NR6R7、?(CO)OC1?10烷基、C1?10烷基?羰基或甲酰基的基团所取代的噻吩、呋喃或被一个或多个选自卤素、C1?6烷基、C1?6烷氧基、?(CO)NR6R7、?(CO)OC1?10烷基、C1?10烷基?羰基或甲酰基的基团所取代的呋喃、?C=C?(CO)OC1?10烷基；或...
【技术特征摘要】
1.一种式C所示的化合物的制备方法，其特征在于，包括步骤于惰性溶剂中，以钯盐为催化剂，在氧化剂存在下，将式A化合物与式B化合物进行反应，从而形成式C化合物；2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的式A化合物为选自下组的化合物3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的式B化合物为选自下组的化合物4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，!^、!^、!^、!^、!^、^各自独立地为选自下组的基团氢、氰基、卤素、C^8烷基、卤代的C1-S烧基、C2_8稀基、1 代的C2_8稀基、C2_8块基、被1 素或苯基取代的C2_8块基、Ck烧氧基、卤代的Ci_8烷氧基、-(CO) NR6R7、- (CO) OC1^8烷基、Ci_8烷基-羰基、甲酰基、苯基或被一个或多个选自卤素、C1^6烷基、C1^6烷氧基、-(CO) NR6R7、- (CO) OCm烷基、C1^8烷基-羰基、甲酰基的基团所取代的苯基、噻吩或被一个或多个选自卤素、C^6烷基、C^6烷氧基、-(CO) NR6R7、- (CO)OCV8烷基、C^8烷基-羰基、甲酰基的基团所取代的噻吩、呋喃或被一个或多个选自卤素、CV6烷基、CV6烷氧基、-(CO)NR6R7, -(CO)OCV8烷基、C1^8烷基_羰基、甲酰基的基团所取代的呋喃、-C=C-(CO) OCh 烷基；和/或R4为选自下组的基团氧、氛基、齒素、CV8烧基、齒代的CV8烧基、C2_8稀基、齒代的C2_8稀基、C2_8块基、齒代的C2_8块基、Cp8烧氧基、齒代的Cp8烧氧基、_(C0)NR6R7、- (CO)OCV8烷基、CV8烷基-羰基、甲酰基、苯基或被一个或多个选自卤素、Ch6烷基、CV6烷氧基、-(CO)NR6R7, -(CO)...
【专利技术属性】
技术研发人员：张新刚，贺春阳，
申请(专利权)人：中国科学院上海有机化学研究所，东华大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。