【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，具体涉及一种高导电率的聚噻吩/绝缘聚合物膜复合材料及其制备方法。
技术介绍
导电聚合物因具有很好的热稳定性、化学稳定性、较高的储存电荷能力、较好的电化学性能和气体分离性能，被认为是21世纪的新材料。聚噻吩又因电性能优异、易制备、热稳定性好、与其他通用高分子复合后仍具有较高的使用价值等特点引起了科研工作者的极大兴趣(Synthetic Metals 2004，142，309)。通常，聚噻吩或聚噻吩衍生物与其他通用高分子制备聚噻吩复合材料的过程中选择不同的制备工艺和制备条件所得聚噻吩复合膜的导电性、形态及性能都有较大的差异。聚噻吩复合材料的制备一般有两种方法化学法和电化学法。化学法分为直接法和间接法。直接法是指单体在催化剂的作用下，直接生成所需 聚合物，然后采用滴涂的方法将聚噻吩涂覆在基材上。这种方法比较简单，但生成的聚合物溶解性差，难以加工成型。间接法是指首先合成溶解性和加工性能较好的低分子聚合物，然后涂覆在基材上，最后再进一步聚合成所需的复合材料。但是由于第二步中可能会发生交联反应以及生成多种共轭链构型，因而产物的导电率不高。电化学法可分为一步法...
【技术保护点】
一种聚噻吩复合材料，它包括磺化处理的绝缘聚合物膜和在磺化处理的聚合物膜的一个或两个面上层叠的聚噻吩膜，该聚噻吩复合材料是由噻吩和/或噻吩衍生物在磺化处理的绝缘聚合物膜的一个或两个面上聚合所得到的。
【技术特征摘要】
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