【技术实现步骤摘要】
用于功率驱动的电路
本技术总体上涉及功率驱动器电路及其操作，并且具体地，涉及用于控制功率驱动器的输出电压斜率的装置。
技术介绍
参考图1，其示出了功率驱动器电路100的电路图。电路100包括高侧驱动器102 和低侧驱动器104。高侧驱动器102的输出耦合至负载108的高侧节点106。低侧驱动器 104的输出耦合至负载108的低侧节点110。在图1的示例性实现中，负载108是AMOLED 类型的显示面板，并且高侧节点106和低侧节点110是用于该显示面板的供电节点(Va和 Vb)。然而将会理解，负载108可以包括从高侧和低侧二者驱动的任何适当负载。高侧驱动器102包括一对串联连接的晶体管120和122。晶体管120和122是通过其源-漏路径串联耦合的η沟道MOSFET类型。将会理解，可以代之以使用其他类型的晶体管，对η沟道MOSFET器件的参考仅仅是示例性的优选实现。可以代之以使用P沟道 MOSFET, η沟道和ρ沟道MOSFET的组合、双极器件和/或IGFET类型器件。晶体管120包括耦合至第一供电节点124的传导(漏)端子以及耦合至高侧节点 106的传导...
【技术保护点】
一种用于功率驱动的电路，其特征在于，所述电路包括：驱动电路，包括第一晶体管，所述第一晶体管在被配置为耦合至负载的第一中间节点处与第二晶体管串联耦合；耦合在所述第一中间节点与第二中间节点之间的电容；放大器，具有耦合至所述第二中间节点的第一输入、耦合至参考电压的第二输入以及耦合至所述第二晶体管的控制端子的输出；以及电流源，配置用于向所述第二中间节点提供具有可选值的电流。
【技术特征摘要】
1.一种用于功率驱动的电路，其特征在于，所述电路包括 驱动电路，包括第一晶体管，所述第一晶体管在被配置为耦合至负载的第一中间节点处与第二晶体管串联耦合； 耦合在所述第一中间节点与第二中间节点之间的电容； 放大器，具有耦合至所述第二中间节点的第一输入、耦合至参考电压的第二输入以及耦合至所述第二晶体管的控制端子的输出；以及 电流源，配置用于向所述第二中间节点提供具有可选值的电流。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括箝位电路，配置用于将所述第二中间节点处的电压箝制为等于所述参考电压的值。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括耦合至所述电流源的可变电阻器，其中由所述电流源提供的所述电流的值由所述可变电阻器的值选择。4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括耦合至所述第二晶体管的所述控制端子的提升电路，所述提升电路配置用于感测所述第二晶体管的所述控制端子上的电压，并且在所感测的电压升高到第一阈值电压的情况下将所述控制端子的电压提升到高供电电压。5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括耦合至所述第二晶体管的所述控制端子的下拉电路，所述下拉电路配置用于感测所述第二晶体管的所述控制端子上的电压，并且在所感测的电压降低到第二阈值电压的情况下将所述控制端子的电压下拉到低供电电压。6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括耦合至所述第二中间节点的滤波电路。7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，滤波电路包括耦合在所述第二中间节点与低供电电压节点之间的串联连接的电阻器和电容器。8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，还包括耦合至所述第二晶体管的所述控制端子的驱动器电路，所述驱动器电路操作用于响应于使能信号而将所述控制端子上的电压控制为等于供电电压。9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述驱动器电路包括耦合至所述第二晶体管的所述控制端子的提升晶体管以及耦合至所述第二晶体管的所述控制端子的下拉晶体管，所述驱动器电路操作用于响应于所述使能信号而激活所述提升晶体管和下拉晶体管中的一个，并且解激活所述提升晶体管和下拉晶体管中的另一个。10.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括耦合至所述第二晶体管的所述控制端子的驱动器电路，所述驱动器电路包括 耦合至所述第二晶体管的所述控制端子的提升电路； 耦合至所述第二晶体管的所述控制端子的下拉电路； 第一电压感测电路，配置用于感测所述第二晶体管的所述控制端子上的电压升高到第一阈值并且激活所述提升电路；以及 第二电压感测电路，配置用于感测所述第二晶体管的所述控制端子上的电压降低到第二阈值并且激活所述下拉电路。11.根据权利要求10所述的电路，其特征在于，所述驱动器电路操作用于响应于使能信号而控制输出信号从所述第一电压感测电路和第二电压感...
【专利技术属性】
技术研发人员：王蒙，黄涛涛，
申请(专利权)人：意法半导体研发深圳有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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