【技术实现步骤摘要】
2M射频匹配电路
本技术涉及射频电源
，具体涉及一种2M射频匹配电路。
技术介绍
2M这个频点是一个比较特殊的频点，它在射频中属于比较低的频率，单纯的倒L 型和Ji型电路根本无法完成匹配。现在大部分国内2M的频点实验都是在大学实验室，以前2M的匹配电路只是简单的用一个电感串联进去，来达到起辉效果。这种匹配电路可以提供很高的电压，但是存在很大的反射，到达负载上的功率很低，很大程度上减少射频电源的使用寿命。
技术实现思路
针对上述技术问题，本技术的目的是提供一种2M射频匹配电路，本技术既可以在负载处产生很高的电压，而且保证射频电源的输出功率完全达到负载，减少不必要的损失。实现本技术目的的技术方案如下2M射频匹配电路，包括第一电容、第一电感、第二电容以及第三电容，所述第一电容的一端接地，第一电容的另一端连接第一电感的一端，第一电感的另一端分别连接第二电容和第三电容的一端，第二电容的另一端接地。所述第一电容和第三电容均为可调电容。米用了上述方案,第一电容的一端接地，第一电容的另一端连接第一电感的一端， 第一电感的另一端分别连接第二电容和第三电容的一端，第二电容的另一端接地。这种连接方式，使得第一电容与第一电感以及第二电容构成η型匹配电路，而第二电容和第三电容构成了倒L型匹配电路，因此，本技术实际上是将π型匹配电路和倒L型匹配电路组合而成的一种新型的匹配电路。这种匹配电路既可以在谐振频率处改变负载电阻的等效值，又可以将各个节点的寄生电容完全被电路利用。在满足匹配的情况下，尽量的增加整体匹配电路的无功功率和有功功率值，减少射频功率在匹配器中不必要的损耗，达到...
【技术保护点】
2M射频匹配电路，其特征在于，包括第一电容、第一电感、第二电容以及第三电容，所述第一电容的一端接地，第一电容的另一端连接第一电感的一端，第一电感的另一端分别连接第二电容和第三电容的一端，第二电容的另一端接地。
【技术特征摘要】
1.2M射频匹配电路，其特征在于，包括第一电容、第一电感、第二电容以及第三电容，所述第一电容的一端接地，第一电容的另一端连接第一电感的一端，第一电感的...
【专利技术属性】
技术研发人员：项亮，王东，
申请(专利权)人：常州瑞思杰尔电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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