一种射频功率合成电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电源控制技术领域，尤其是涉及一种射频功率合成电路，包括三组相同的第一信号，所述第一信号后电连接有魔T电路，所述魔T电路将三组第一信号合成为一组第二信号，所述魔T电路上还电连接有阻抗变换电路，所述阻抗变换电路将所述第二信号输出。本实用新型专利技术采用魔T电路网络将三路功放源合并为一路，相较于传统的4合1而言，减少了25％的损耗；本实用新型专利技术保证了各个线路之间的隔离，防止其相互干扰，抗干扰能力强。抗干扰能力强。抗干扰能力强。

【技术实现步骤摘要】
一种射频功率合成电路


[0001]本技术涉及电源控制
，尤其是涉及一种射频功率合成电路。

技术介绍

[0002]目前13.56MHZ射频电源在等离子清洗、光伏制造、半导体制程等领域已经得到广泛应用。而制造射频电源的核心器件射频晶体管的输出功率能力有限，因此在大功率射频电源的设计过程中就需要用到射频功率合成技术，从而实现整机输出较大的射频功率。当前采用的合成技术大多数是偶数形式传输线变压器实现的方案，如2合1、4 合1、8合1等等，这给设计带来局限性。比如单个射频模块的输出为1KW，要实现整机3KW的输出，就只能采用4合1的电路，而这个电路需要4路1KW的射频模块来实现3KW的输出，就会造成1KW的浪费，这无疑会使用户成本的上升。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题是：针对上述缺陷，提供一种线路组数选择更多，各路信号之间影响更小的多组同相100W60MHz射频电源系统。
[0004]其具体方案如下：
[0005]一种射频功率合成电路，包括三组相同的第一信号，所述第一信号后电连接有魔T电路，所述魔T电路将三组第一信号合成为一组第二信号，所述魔T电路上还电连接有阻抗变换电路，所述阻抗变换电路将所述第二信号输出。
[0006]进一步的，所述魔T电路包括三根分别与三组第一信号电连接的导线，所述导线包括内导体以及包裹在所述内导体外的屏蔽层。
[0007]进一步的，每一根导线的内导体与下一根导线的屏蔽层电连接，最后一根导线的内导体与第一根导线的屏蔽层电连接。
[0008]进一步的，所述导线上串联有隔离电阻。
[0009]进一步的，所述阻抗变换电路包括电感以及电容，所述电感与第一根导线的屏蔽层电连接，所述电容与所述电感电连接。
[0010]进一步的，所述屏蔽层采用的是导电金属材质，形状为编织网形状。
[0011]采用本技术的技术方案相较于传统技术方案所具有的优点在于：
[0012]1.本技术采用魔T电路网络将三路功放源合并为一路，相较于传统的4合1而言，减少了25％的损耗。
[0013]2.本技术保证了各个线路之间的隔离，防止其相互干扰，抗干扰能力强。
附图说明
[0014]通过下面结合附图的详细描述，本技术前述的和其他的目的、特征和优点将变得显而易见。
[0015]图1为本技术的工作原理示意图；
[0016]图2为本技术的电路示意图；
[0017]图3为本技术的导线结构示意图。
[0018]其中：
[0019]1.第一信号；
[0020]2.魔T电路、21.导线、211.内导体、212.屏蔽层、213.隔离电阻、 22.第二信号；
[0021]3.阻抗变换电路、31.电感、32.电容。
具体实施方式
[0022]以下依据本技术的理想实施例为启示，通过以下的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
[0023]参考下列附图，将对本技术进行进一步地说明：
[0024]一种射频功率合成电路，包括三组相同的第一信号1，所述第一信号后电连接有魔T电路2，所述魔T电路2将三组第一信号1合成为一组第二信号22，所述魔T电路2上还电连接有阻抗变换电路3，所述阻抗变换电路3将所述第二信号22输出。魔T电路2包括三根分别与三组第一信号1电连接的导线21，所述导线21包括内导体211 以及包裹在所述内导体211外的屏蔽层212。每一根导线21的内导体211与下一根导线21的屏蔽层212电连接，最后一根导线21的内导体211与第一根导线21的屏蔽层212电连接。导线21上串联有隔离电阻213。阻抗变换电路3包括电感以及电容32，所述电感与第一根导线21的屏蔽层212电连接，所述电容与所述电感31电连接。屏蔽层212采用的是导电金属材质，形状为编织网形状。
[0025]本技术工作原理简述：
[0026]如图2，为了方便理解，本实施例将三根导线21分别命名为DL1、 DL2以及DL3.
[0027]取其中一根导线DL1为例，该导线外部为金属网结构的屏蔽层 212，内部为内导体211。
[0028]导线DL1的内导体211与导线DL2的屏蔽层212电连接，导线 DL2的内导体211与导线DL3的屏蔽层212电连接，最后一根导线DL3 的内导体211与第一根导线DL1的屏蔽层212电连接形成回路，进而形成所谓的“魔T电路”，亦可叫做“魔T电路网络”。三根导线之间通过屏蔽层212形成了初步的隔离。
[0029]在各个导线后端各电连接有一隔离电阻213，这三个隔离电阻 213之间并联形成回路，对三根导线之间进一步地起到隔离作用。
[0030]如图2所示，电感31一端电连接到导线DL1的屏蔽层212上，另一端电连接到电容32。电容连接到输出，并将阻抗变换后的信号从此处送出。(在具体的实施过程中，电感和电容的数值大小由计算机进行仿真后确定。)
[0031]三路同相位的射频功率(第一信号1)输入到三根同轴电缆组成的“魔T电路”合成网络，假定每路输入的阻抗为Z0,电压为U,电流为I；三路输入经过“魔T电路”网络后在导线DL1的
②
位置的电压为U,电流变成3*I,因此在该点的阻抗为Z＝U\3*I＝Z0\3,又因为三路输入阻抗Z0＝50Ω,所以导线DL1
②
位置的阻抗Z＝50\3＝16.7Ω,再通过电感L和电容C将16.7Ω转换成50Ω后输出。3个电阻实现3路输入的相互隔离，在幅度相位不平衡时降低损
耗。通过此电路最终完成了3路50Ω输入合成变换后，以50Ω阻抗将3路总功率传输到设备后端。
[0032]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频功率合成电路，其特征在于，包括三组相同的第一信号，所述第一信号后电连接有魔T电路，所述魔T电路将三组第一信号合成为一组第二信号，所述魔T电路上还电连接有阻抗变换电路，所述阻抗变换电路将所述第二信号输出。2.根据权利要求1所述的一种射频功率合成电路，其特征在于，所述魔T电路包括三根分别与三组第一信号电连接的导线，所述导线包括内导体以及包裹在所述内导体外的屏蔽层。3.根据权利要求2所述的一种射频功率合成电路，其特征在于，每一根导线...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁义国，
申请(专利权)人：常州瑞思杰尔电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：