基于无源宽带结构的太赫兹混频器制造技术

本发明专利技术涉及一种基于无源宽带结构的太赫兹混频器，包括依次连接的软基片和砷化镓基片，砷化镓基片固定于金属腔体内并与金属腔体适配；砷化镓基片上依次穿设有射频接地结构、射频探针过渡结构、本振滤波结构、本振探针双工结构和中频低通滤波结构；本振滤波结构与射频探针过渡结构之间还设有反向并联肖特基二极管对，反向并联肖特基二极管对倒置在砷化镓基片上；本发明专利技术采用的匹配电路更为简单，减少电路损耗及变频损耗，极大的提高了二极管的工作频率和稳定性。通过射频直接接地的处理方法可以实现更大的工作带宽，克服了传统射频地回路设计因采用四分之一波长线接地而带来的窄带特性的缺陷。带特性的缺陷。带特性的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
基于无源宽带结构的太赫兹混频器


[0001]本专利技术属于微波射频
，具体涉及一种基于无源宽带结构的太赫兹混频器。

技术介绍

[0002]在太赫兹波通信、雷达等领域中，如同毫米波一样，需要对高频率、强度弱的信号进行处理，这时候就要用到超外差接收机。超外差接收机主要包括射频滤波放大器、混频器、中频滤波放大器以及检测器等部件，其中混频器所实现的是上变频和下变频功能，是接收机中的关键组成部分，在很大层面上影响到接收机的指标。然而，由于缺少成熟的太赫兹低噪放芯片，太赫兹接收前端的第一级通常是太赫兹混频器，因此，混频器的指标极大的影响着接收系统的整体性能。例如，在太赫兹频段带宽直接影响系统的工作频带。
[0003]固态太赫兹下变频主要是用GaAs肖特基二极管实现。作为典型的电路设计模型，基于肖特基二极管的太赫兹分谐波混频器的无源电路均包含了射频过渡、本振低通滤波器和本振中频双工器。传统的太赫兹混频都采用了石英基片作为微带传输电路，在工程中发现石英基片极易断裂，并且装配与加工的难度较大。
[0004]相关技术中，相比较于谐波混频，用基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于无源宽带结构的太赫兹混频器，其特征在于，包括依次连接的软基片和砷化镓基片，所述砷化镓基片固定于金属腔体内并与所述金属腔体适配；所述砷化镓基片上依次穿设有射频接地结构、射频探针过渡结构、本振滤波结构、本振探针双工结构和中频低通滤波结构；所述本振滤波结构与射频探针过渡结构之间还设有反向并联肖特基二极管对，所述反向并联肖特基二极管对倒置在所述砷化镓基片上。2.根据权利要求1所述的基于无源宽带结构的太赫兹混频器，其特征在于，所述射频探针过渡结构，包括：射频探针和第一波导体；所述射频探针两侧设有高阻线，所述高阻线用于阻抗匹配；所述第一波导体采用倒角结构。3.根据权利要求1所述的基于无源宽带结构的太赫兹混频器，其特征在于，所述本振探针双工结构，包括：本振探针和第二波导体；所述本振探针两侧设有高阻线，所述高阻线用于阻抗匹配；所述第二波导体采用倒角结构。4.根据权利要求1所述的基于无源宽带结构的太赫兹混频器，其特征在于，所述本振滤波结构，包括：第一微带线、第二微带线、第三微带线以及第四微带线；所述第一微带线、第二微带线、第三微带线以及第四微带线以所述第二微带线和第三微带线连接线的中点所在垂直线为对称轴对称设置。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王璞，杨周明，牟聪，
申请(专利权)人：成都天成电科科技有限公司，
类型：发明
国别省市：