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本发明涉及一种基于无源宽带结构的太赫兹混频器，包括依次连接的软基片和砷化镓基片，砷化镓基片固定于金属腔体内并与金属腔体适配；砷化镓基片上依次穿设有射频接地结构、射频探针过渡结构、本振滤波结构、本振探针双工结构和中频低通滤波结构；本振滤波结构...
该专利属于成都天成电科科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都天成电科科技有限公司授权不得商用。

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