一种破碎多晶硅的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种破碎多晶硅的装置，该装置包括高压变电器、高压整流器、充电电容、隔离间隔开关、水池、以及浸在水池中的第一电极、和第二电极，其中：所述高压变电器的一次绕组接市电，二次绕组的第一连接端依次与高压整流器、隔离间隔开关和第一电极连接，二次绕组的第二连接端接地、并与第二电极连接，充电电容连接在高压整流器和隔离间隔开关的公共端与第二绕组和第二电极的公共端之间。本实用新型专利技术所提供的多晶硅破碎装置，结构简单、安全，易于操作；本实用新型专利技术不仅避免了现有技术中出现的金属污染问题，而且破碎均匀，有效的减少了多晶硅粉末的形成，对提高企业效益方面具有非常重要的意义。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种轻多晶硅的破碎的设备，属于多晶硅破碎领域。
技术介绍
随着化石能源的逐渐枯竭以及环境污染问题的日益加剧，探寻一种无污染的可再生能源成为当务之急。充分利用太阳能，对在低碳模式下实现可持续发展具有重要的经济和战略意义。多晶硅是生产太阳能光伏电池的主要原料。多晶硅的破碎是多晶硅生产企业最后的生产环节，其完成的好坏直接与多晶硅品质和企业效益联系在一起。多晶硅企业破碎多晶硅几乎全部采用机械法破碎，机械法破碎有人工破碎和自动破碎两种方法。人工破碎就是使用锤子(或其他硬质工具)把多晶硅敲碎 ，然后筛分包装的方法。自动破碎采用机械破碎装置(颚式破碎机，冲击锤破碎机等)把多晶硅压碎的一种方法。以上两种方法都是破碎工具与多晶硅机械碰撞产生的压力使多晶硅碎裂的方法，这些方法有以下弊端1、破碎工具与多晶硅机械碰撞不可避免产生金属污染，特别是铁污染会严重降低多晶娃的少子寿命。2、机械破碎过程中不可避免产生大量的碎屑和微粉，降低受率，严重影响多晶硅的品质和企业的收益。3、碎屑和微粉会污染环境，危机员工的健康，更细小的粉尘在空气中易燃易爆，会有很大的安全隐患。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种破碎多晶硅的装置，其特征在于：该装置包括高压变电器（B）、高压整流器（G）、充电电容（C）、隔离间隔开关（K）、水池（F）、以及浸在水池（F）中的第一电极（1）和第二电极（2），其中：所述高压变电器（B）的一次绕组接市电，二次绕组的第一连接端依次与高压整流器（G）、隔离间隔开关（K）和第一电极（1）连接，二次绕组的第二连接端接地、并与第二电极（2）连接，充电电容（C）连接在高压整流器（G）和隔离间隔开关（K）的公共端与第二绕组和第二电极（2）的公共端之间。

【技术特征摘要】
1.一种破碎多晶硅的装置，其特征在于该装置包括高压变电器(B)、高压整流器(G)、充电电容(C)、隔离间隔开关(K)、水池(F)、以及浸在水池(F)中的第一电极(I)和第二电极(2)，其中 所述高压变电器(B)的一次绕组接市电，二次绕组的第一连接端依次与高压整流器(G)、隔离间隔开关(K)和第一电极(I)连接，二次绕组的第二连接端接地、并与第二电极(2)连接，充电电容(C)连接在高压整流器(G)和隔离间隔开关(K...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桂林，银波，胡光健，周慧，
申请(专利权)人：新特能源股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：