一种采用方光斑刻蚀双面ITO玻璃的刻蚀装置制造方法及图纸

技术编号:8500464 阅读:274 留言:0更新日期:2013-03-29 21:39
本实用新型专利技术公开了一种采用方光斑刻蚀双面ITO玻璃的刻蚀装置,可以将激光束能量分布的模式由高斯模式转换为等功率分布,整形后的光束所照可以将照射部位薄膜均匀去除,即去除薄膜厚度一致,本实用新型专利技术公开的刻蚀装置包括支撑机构和等功率分布整形光路机构,所述支撑机构包括上支撑装置和下支撑装置,所述上下支撑装置各包含一套等功率分布整形光路机构,用于提供等功率激光束。高斯模式激光束在使用过程中,由于能量分布中间大四周小,蚀刻过程中往往在双面ITO玻璃加工边缘出现残留,造成产品加工问题,而等功率激光束则可以很好的解决这个问题。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

一种采用方光斑刻蚀双面ITO玻璃的刻蚀装置
本技术涉及激光加工领域,特别涉及一种采用方光斑刻蚀双面ITO玻璃的刻 蚀装置。
技术介绍
ITO是铟锡氧化物的英文缩写,它是一种透明的导电体,通常厚度只有几千埃,在 所有在透明导电体中,其具有优良的物理性能高的可见光透过率,高的红外反射率,良好 的机械强度和化学稳定性,用酸溶液等湿法刻蚀工艺能很容易形成一定的电极图形,制备 相对比较容易等,这使它广泛应用于各种电子及光电子器件,如手机和电脑等平板显示领 域。传统的双面ITO玻璃采用湿刻方式制作电极图形,工序繁多,刻蚀后产生的废水需要进 一步处理。由于ITO膜的损伤阈值较低,且膜层厚度也很薄,而激光器输出的光束都是高斯 模式,光束中间能量高,边缘能量低,因此在刻蚀过程中容易出现刻透或损伤阈值较小的缺 点,从而造成对ITO玻璃表面薄膜加工边缘处理不净的问题。本专利提出一种采用方光斑刻蚀双面ITO膜的刻蚀装置,能够将能量分布为高斯 模式的激光束转变为能量分布均匀的等功率分布激光束,在加工ITO玻璃薄膜过程中,加 工部位处理效果整齐均匀,很好的解决了能量为高斯模式分布激光束带来的问题。技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用方光斑刻蚀双面ITO玻璃的刻蚀装置,包括:等功率分布整形光路机构,所述等功率分布整形光路机构包括光束整形部件,所述光束整形部件用于将高斯模式激光束转变为等功率分布激光束;和支撑机构,所述支撑机构包括上支撑机构和下支撑机构,所述上下支撑机构各包含有所述等功率分布整形光路机构;和激光器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:魏志凌宁军高永强
申请(专利权)人:昆山思拓机器有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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