本发明专利技术公开了一种采用方光斑刻蚀双面ITO玻璃的刻蚀装置，可以将激光束能量分布的模式由高斯模式转换为等功率分布，整形后的光束所照可以将照射部位薄膜均匀去除，即去除薄膜厚度一致。本发明专利技术公开的刻蚀装置包括支撑机构和等功率分布整形光路机构，所述支撑机构包括上支撑装置和下支撑装置，所述上下支撑装置各包含一套等功率分布整形光路机构，用于提供等功率激光束。高斯模式激光束在使用过程中，由于能量分布中间大四周小，蚀刻过程中往往在双面ITO玻璃加工边缘出现残留，造成产品加工问题，而等功率激光束则可以很好的解决这个问题。
【技术实现步骤摘要】
一种采用方光斑刻蚀双面ιτο玻璃的刻蚀装置
本专利技术涉及激光加工领域，特别涉及一种紫外激光刻蚀双面ιτο玻璃激光刻蚀加工装置。
技术介绍
ΙΤ0是铟锡氧化物的英文缩写，它是一种透明的导电体，通常厚度只有几千埃，在所有在透明导电体中，其具有优良的物理性能:高的可见光透过率，高的红外反射率，良好的机械强度和化学稳定性，用酸溶液等湿法刻蚀工艺能很容易形成一定的电极图形，制备相对比较容易等，这使它广泛应用于各种电子及光电子器件，如手机和电脑等平板显示领域。传统的双面ΙΤ0玻璃采用湿刻方式制作电极图形，工序繁多，刻蚀后产生的废水需要进一步处理。由于ΙΤ0膜的损伤阈值较低，且膜层厚度也很薄，而激光器输出的光束都是高斯模式，光束中间能量高，边缘能量低，因此在刻蚀过程中容易出现刻透或损伤阈值较小的缺点，从而造成对ΙΤ0玻璃表面薄膜加工边缘处理不净的问题。本专利提出一种采用方光斑刻蚀双面ΙΤ0膜的刻蚀装置，能够将能量分布为高斯模式的激光束转变为能量分布均匀的等功率分布激光束，在加工ΙΤ0玻璃薄膜过程中，加工部位处理效果整齐均匀，很好的解决了能量为高斯模式分布激光束带来的问题。
技术实现思路
有鉴于此，需要克服现有技术中的上述缺陷中的至少一个。本专利技术提供了一种采用方光斑刻蚀双面Ι--膜的刻蚀装置，所述采用方光斑刻蚀双面ΙΤ0膜的刻蚀装置包括等功率分布整形光路机构，所述等功率分布整形光路机构包括光束整形部件，所述光束整形部件用于将高斯模式激光束转变为等功率分布激光束；和支撑机构，所述支撑机构包括上支撑机构和下支撑机构，所述上下支撑机构各包含有所述等功率分布整形光路机构；和激光器。所述刻蚀装置采用能量分布均匀的等功率分布激光束解决了能量分布为高斯模式分布激光束带来的刻蚀部位不整齐均匀干净的问题。如图1所示，激光刻蚀单面ΙΤ0膜玻璃时，当紫外激光的功率Pd大于ΙΤ0膜的刻蚀功率阈值Pdmin时，可以将玻璃表面的ΙΤ0膜除掉；而刻蚀双面镀有ΙΤ0膜的玻璃时，激光束的功率密度需要大于最小功率阈值Pdmin，且小于最大功率阈值Pdmax时，才能保证去除单面ΙΤ0膜，并可以不损伤及另一面的ΙΤ0膜，如图2所示。而传统的能量分布为高斯模式激光束由于能量分布为中间高边缘低，如图3左侧图所示，这就可以造成当双面ΙΤ0玻璃上表面薄膜加工部位的边缘被去除的同时，双面ΙΤ0玻璃下表面薄膜加工部位的中心位置也可能被去除的现象，这不仅造成了激光能量调节的困扰，也加大了不良品出现的几率。根据本专利技术的刻蚀装置 可以将能量分布不均的激光束转变为能量分布均匀的激光束则很好的解决了这个问题。同时，构成所述刻蚀装置的所述等功率分布整形光路机构还可以包括能量调节部件、扫描部件和安全部件，所述能量调节部件用来根据不同规格的加工部件，如ITO玻璃，调节激光束的能量，所述扫描部件用来进行扫描操作，所述安全部件起到一定的安全防护作用。所述下支撑机构还包括工作台和基座，所述工作台可以在Χ、 向运动，便于对加工部件，如ITO玻璃，进行加工。根据本专利技术提供的一种采用方光斑刻蚀双面ITO膜的刻蚀装置，包括:等功率分布整形光路机构，所述等功率分布整形光路机构包括光束整形部件，所述光束整形部件用于将高斯模式激光束转变为等功率分布激光束；和支撑机构，所述支撑机构包括上支撑机构和下支撑机构，所述上下支撑机构各包含有一所述等功率分布整形光路机构；和激光器。进一步地，所述等功率分布整形光路机构还包括能量调节部件。优选地,所述能量调节部件包括能量衰减器或者布儒斯特镜。进一步地，所述等功率分布整形光路机构还包括扫描部件。可选地，所述扫描部件包括动态聚焦镜或振镜。优选地，所述扫描部件为动态聚焦镜和振镜组合。进一步地，所述等功率分布整形光路机构包括安全部件，如光闸。优选地，所述等功率分布整形光路机构还可以包括分光部件、反射部件，形成共用一台激光器的两套光路，所述上支撑机构可以通过一台设置在所述上支撑机构上的所述激光器形成两个相同或相似的光路，所述下支撑机构可以通过一台设置在所述下支撑机构上的所述激光器形成两个相同或相似的光路，如此可以提高加工效率和速度。可选地，所述上支撑机构为龙门结构。进一步地，所述下支撑机构包括基座和工作台。更进一步地，所述工作台包括Χ、Υ向运动部件，所述Χ、Υ向运动部件可载所述工作台作处于工作台平面上的运动。进一步地，所述激光器为紫外激光器，所述激光器频率为10-300ΚΗζ，功率为0.2~25W。更进一步地，所述激光器为ΙΟΟΚΗζ，功率:0.5W的紫外激光器。 本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。【附图说明】本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中:` 图1显示了单面ITO玻璃刻蚀原理示意图； 图2显示了双面ITO玻璃刻蚀原理示意图； 图3显示了本专利技术的激光能量分布整形前后的波形示意图； 图4显示了本专利技术一个实施例的正视示意图； 图5显示了本专利技术一个实施例的侧视示意图；图6显示了本专利技术一个实施例的光路结构示意图；图1中，4为ITO玻璃，41为ITO玻璃上表面薄膜，6为激光束，Pd为激光的功率，Pdmin为ITO膜的刻蚀最小功率阈值；图2中，42为ITO玻璃下表面薄膜，Pdmax为ITO膜的刻蚀最小功率阈值；图3中，P为激光能量，r为距离光斑中心位置；图4、图5中，1为下支撑机构，11为基座，12位工作台，121为工作台支撑部分，122为X、Y向运动部件，2为上支撑机构，此实施例中为龙门结构，3为等功率分布整形光路机构；图6中，5为激光器，31为扩束镜，32、34为反射镜，33为分光镜，331、341为光闸，332、342为能量衰减器，333、343为光束整形器，334、344位动态聚焦镜，335、345为振镜；【具体实施方式】下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。在专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“内”、“外”、“X向”、“Υ向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“安置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，一体地连接，也可以是可拆卸连接；可以是两个元件内部的连通；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义下面将参照附图来描述本专利技术的采用方光斑刻蚀双面ΙΤ0玻璃的刻蚀装置，其中图1、图2为ΙΤ0玻璃加工原理示意图，图3为现有能量为类似高斯分布的激光能量分布波形示意和整形后能量分布较均匀的激光能量分布波形示意图，图4、图5为本专利技术一个实施例的刻蚀装置正视及侧视示意图，图6为本专利技术一个实施例的光路示意本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种采用方光斑刻蚀双面ITO玻璃的刻蚀装置，包括：等功率分布整形光路机构，所述等功率分布整形光路机构包括光束整形部件,所述光束整形部件用于将高斯模式激光束转变为等功率分布激光束；和支撑机构，所述支撑机构包括上支撑机构和下支撑机构，所述上下支撑机构各包含有所述等功率分布整形光路机构；和激光器。
【技术特征摘要】
1.一种采用方光斑刻蚀双面ITO玻璃的刻蚀装置，包括:等功率分布整形光路机构，所述等功率分布整形光路机构包括光束整形部件，所述光束整形部件用于将高斯模式激光束转变为等功率分布激光束；和支撑机构，所述支撑机构包括上支撑机构和下支撑机构，所述上下支撑机构各包含有所述等功率分布整形光路机构；和激光器。2.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述等功率分布整形光路机构还包括能量调节部件。3.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述能量调节部件包括能量衰减器或者包括布儒斯特镜。4.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述等功率分布整形光路机构还包括扫描部件。5.根据权利要求4所述的刻蚀装置，其特征在于，所述扫描部件包括动态聚焦镜或振镜，或动态聚焦镜和振镜组合。6.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述等功率分布整形光路...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏志凌，宁军，高永强，
申请(专利权)人：昆山思拓机器有限公司，
类型：发明
国别省市：
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