一种具有不同切割深度的发光原件切割方法技术

本发明专利技术提供一种具有不同切割深度的发光原件切割方法，先于半导体衬底表面制作包括多个发光外延单元的发光原件；然后依据各该发光外延单元定义出多个切割道，并于各该切割道上制备间隔排列的多个阻挡层；然后依据各该切割道从正面对所述发光原件发射多个激光脉冲，以于阻挡层下方的发光原件及半导体衬底中形成多个浅切割孔，并于未被阻挡层阻挡的发光原件及半导体衬底中形成多个深切割孔，然后去除各该阻挡层；接着制作电极形成发光单元；最后对所述发光原件进行裂片。本发明专利技术既保证了早后续的制程中晶片不容易破裂，又保证了在裂片过程中晶片的破裂效率，提高了晶片的破裂效率；由于有部分浅切割孔，可以降低切割孔对光线的吸收，提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的切割方法，特别是涉及。
技术介绍
半导体照明作为新型高效固体光源，具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其应用领域正在迅速扩大，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其经济效益和社会效益巨大。正因如此，半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一，也是未来几年光电子领域最重要的制 高点之一。发光二极管是由III-IV族化合物，如GaAs (砷化镓)、GaP (磷化镓)、GaAsP (磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。近年来，制造高集成、高性能的半导体产品的半导体工业相继发展半导体薄片加工技术。为了提高生产效率，各处的半导体产品使用半导体薄片加工技术把几个到几千万个半导体仪器集成到一块称为“晶片”的高纯度衬底上。一块几英寸晶片上要制造的芯片数目达几千片，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有不同切割深度的发光原件切割方法，其特征在于，所述切割方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面制作包括多个发光外延单元的发光原件；2）依据各该发光外延单元定义出多个切割道，并于各该切割道上制备间隔排列的多个阻挡层；3）依据各该切割道从正面对所述发光原件发射多个激光脉冲，以于阻挡层及其下方的发光原件及半导体衬底中形成多个浅切割孔，并于未被阻挡层阻挡的发光原件及半导体衬底中形成多个深切割孔，然后去除各该阻挡层；4）于各该发光外延单元制作电极，完成发光单元的制备；5）依据各该发光单元对所述发光原件进行裂片，以获得相互分离的多个发光单元。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：单立伟，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：