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本发明提供一种具有不同切割深度的发光原件切割方法，先于半导体衬底表面制作包括多个发光外延单元的发光原件；然后依据各该发光外延单元定义出多个切割道，并于各该切割道上制备间隔排列的多个阻挡层；然后依据各该切割道从正面对所述发光原件发射多个激光脉...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。

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